Pham Nam Hai Research Group

日欧研究者と共著で下記のレビュー論文を発表しました。

T. Dietl, K. Sato, T. Fukushima, A. Bonanni, M. Jamet, A. Barski, S. Kuroda, M. Tanaka, Pham Nam Hai, H. Katayama-Yoshida.

“Spinodal nanodecomposition in semiconductors doped with transition metals”

Rev. Mod. Phys. 87, 1311-1377 (2015).

今回の論文にPham准教授が過去の研究成果を元に第三章のGaMnAsにおけるスピノダル分解とMnAsナノ微粒子の形成およびそのスピン依存伝導特性・磁気光学特性を担当しました。

下記の論文がPhys. Rev. B (Rapid communication)誌に出版されました。

L. D. Anh, P. N. Hai, Y. Kasahara, Y. Iwasa, Masaaki Tanaka, “Modulation of ferromagnetism in (In,Fe)As quantum wells via electrically controlled deformation of the electron wave functions”,
Phys. Rev. B 92, 161201(R)/1-5 (2015).

今回の論文は約10年前に理論的に提案された技術「波動関数制御による磁性変調」を波動性の強い(In,Fe)As量子井戸を含む電界効果トランジスタ構造において実証した研究成果です。本実証によって、従来に磁性変調に必要とする面キャリア密度の変調量10¹²~10¹³ cm^-2から10¹¹ cm^-2までに大幅に削減し、超高速と超低消費電力の磁化スイッチング技術に応用できると期待しています。

本研究に関する受賞履歴はこちらです。

＊2015年先端技術大賞、ニッポン放送賞(学生)

＊2014年応用物理学会秋季学術講演会の「講演奨励賞」（学生）

＊応用物理学会スピントロニクス研究会第1回英語講演奨励賞（学生）

下記の論文がPhys. Rev. B誌に出版されました。

N. T. Tu, P. N. Hai, L. D. Anh, M. Tanaka, “Magnetic properties and intrinsic ferromagnetism in (Ga,Fe)Sb ferromagnetic semiconductors”, Phys. Rev. B 92, 144403/1-14 (2015).

今回の論文は(Ga,Fe)Sbの新型強磁性半導体において、低温MBE結晶成長技術を駆使し、Fe濃度を20%まで増やすことができました。それにと伴い、キュリー温度が大幅に増大し、現時点では230 Kという新世界記録を達成しました。鉄系強磁性の高いポテンシャルを見せつけた研究成果です。

様々な(Ga_1-x,Fe_x)Sbにおけるアロットプロット法によるキュリー温度(T_C)の見積。Fe濃度が20%のサンプルにおいて、今までの最高記録(200 K)を超えた230 Kのキュリー温度が得られた。

中国の東北大学物理学科から当研究室に胡天翔（コテンショウ）君が新M1として入学しました。

下記の論文がAppl. Phys. Lett.誌に出版されました。

P. N. Hai, M. Tanaka, “Memristive magnetic tunnel Junctions with MnAs nanoparticles”, Appl. Phys. Lett. 107, 122404/1-5 (2015).

今回の論文はMnAsナノ微粒子を含むトンネル磁気接合において、TMR効果とMemristance効果が同時に存在していることを示した。同じMTJ素子でMemristive効果とTMR効果を両方利用すれば、多ビットのメモリ素子に応用できると期待できる。

Pham研の荒川君と長峰君がA日程の大学院入学試験に合格しました。おめでとうございます！ベトナム料理のお店でお祝いをしました。

矢崎科学技術振興記念財団は当研究室を訪問しました。研究内容に関する説明および研究室見学の案内をしました。訪問の報告はこちらにどうぞ

http://www.yazaki-found.jp/search/recipient999.html

分子線エピタキシー装置の前にて記念写真の撮影

下記の論文はApplied Physics Reviews誌の2014年のmost-accessed articlesにランクインしました。無料に見ることができます。

Recent progress in III-V based ferromagnetic semiconductors: Band structure, Fermi level, and tunneling transport
Masaaki Tanaka, Shinobu Ohya, Pham Nam Hai
Appl. Phys. Rev. 1, 011102 (2014)

研究室に卒研生2名、修士課程3名、博士課程1名が加わりました。新メンバーの皆さんの活躍を期待しています。

平成27年3月16日に、第55回 東レ科学技術研究助成の贈呈式が開催された。

本研究に対して、東レ科学振興会が2,200万円を支援してくださいました。関係者の皆様に厚く御礼を申し上げます。

贈呈書を受けた時

受領者11名を代表して、挨拶を行った時