R6年度卒業式と送別会

3月2 6日に、初春の桜が咲く晴天の中、R6年度の卒業式と送別会が行われました。B4の大枝君と伊藤君、M2の加々美君と齋藤君、D3のHuy君が無事に卒業しました。また、加々美君は優秀修士論文賞を受賞し、Huy君は電気電子系電気電子コースおよび超スマート社会卓越教育院の令和7年3月博士課程修了者の代表に選出されました。おめでとうございます!

2024年度の優秀修士論文賞を受賞!

加々美尚君の修士論文「異常ホール効果を用いた微細磁性細線における磁壁移動の電気的な評価」が2024年度の優秀修士論文賞を受賞しました。2025年3月26日の卒業式に表彰されました。おめでとうございます!

電気電子系電気電子コースおよび超スマート社会卓越教育院の令和7年3月博士課程修了者の代表に選出

D3のHo Hoang Huy君が電気電子系電気電子コースおよび超スマート社会卓越教育院の令和7年3月博士課程修了者の代表に選出されました。おめでとうございます!

論文掲載:トポロジカル絶縁体・磁性体界面のスピンホール効果向上メカニズムの解明

トポロジカル絶縁体・磁性体界面のスピンホール効果向上メカニズムを解明した研究成果がJournal of Applied Physics誌に掲載されました。本研究はウェスタンデジタル社との共同研究の成果です。

Quang Le, Xiaoyong Liu, Lei Xu, Brian R. York, Cherngye Hwang, Son Le, Maki Maeda, Tuo Fan, Yu Tao, Hisashi Takano, Min Liu, Zhang Ruixian, Shota Namba, and Pham Nam Hai, “Effects of metal, oxide, and hybrid metal-oxide interlayers on spin–orbit torque in BiSb topological insulator and magnetic interfaces”, J. Appl. Phys. 137, 123903 (2025)

2025年春季応用物理学会学術講演会で発表

東京理科大学野田キャンパスで開催された2025年春季応用物理学会学術講演会でPham教授、D3のZhang君とLiu君、M2の加々美君が下記の発表を行いました。

[14p-K302-1] High performance spin Hall sensing device using BiSb topological insulator
〇(D)MIN LIU, Ruixian Zhang, Quang Le, Brian York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Michael Gribelyuk, Xiaoyu Xu, Son Le, Maki Maeda, Tuo Fan, Yu Tao, Hisashi Takano, Pham Nam Hai

[14p-K303-10] Spin Hall effect in Platinum deposited by atomic layer deposition for 3D magnetic race-track memory
〇Namhai Pham, Ishida Ken, Kota Sato

[15p-K303-1] Study of Metal, Oxide, and Hybrid Metal-Oxide Interlayers for optimizing Spin-Orbit torque in BiSb Topological Insulator and Magnetic Interfaces
〇(D)Ruixian Zhang, Quang Le, Xiaoyong Liu, Lei Xu, Brian R. York, Cherngye Hwang, Son Le, Maki Maeda, Fan Tuo, Hisashi Takano, Min Liu, Shota Namba, Pham Nam Hai

[17p-K102-10] Effect of Pt and Bi on the spin Hall angle in topological semimetal YPtBi
〇Sho Kagami, Ohiro Fujie, Daiki Ito, Quang Le, Brian York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Son Le, Maki Maeda, Tuo Fan, Yu Tao, Hisashi Takano, Pham Nam Hai

国際学会発表:2025 Joint MMM-Intermag

国際学会2025 Joint MMM-Intermagにおいて、D3のHuy君が下記の発表を行いました。本発表は日本サムスン社との共同研究の成果です。

[VP23-10] Hoang Huy Ho, Wentao Li, Shigeki Takahashi, Yoshiyuki Hirayama, Yushi Kato, Hai Pham, “Large spin orbit torque induced by high temperature annealed BiSb topological insulator on oxidized Si substrates”

論文掲載:トポロジカル絶縁体BiSbにおけるドーピング効果

トポロジカル絶縁体BiSbにおけるドーピング効果に関する研究成果はJapanese Journal of Applied Physics誌に掲載されました。本研究はウェスタンデジタル社との共同研究の成果です。

Quang Le, Brian R. York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Michael A. Gribelyuk, Son Le, Lei Xu, Jason James, Jose Ortega, Maki Maeda, Tuo Fan, Hisashi Takano, Min Liu, Zhang Ruixian, Shota Namba and Pham Nam Hai, “Transport and material properties of doped BiSbX topological insulator films grown by physical vapor deposition”, Jpn. J. Appl. Phys. 63 123001 (2024).

本研究では、トポロジカル絶縁体BiSbに様々な元素や分子をドーピングし、その効果を評価しました。ドーピングによって表面やバルクの伝導率、格子定数比a/c、融点、硬度、結晶粒径などを制御できることを示し、将来的にSOTデバイス応用に有利に働くことを示しました。

論文掲載:トポロジカル絶縁体のスピンホール効果を用いた磁気センサー

トポロジカル絶縁体のスピンホール効果を用いた磁気センサーに関する研究成果がApplied Physics Letters誌に掲載されました。本研究はウェスタンデジタル社との共同研究の成果です。

Min Liu,  Zhang Ruixian, Quang Le, Brian York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Michael Gribelyuk, Xiaoyu Xu, Son Le, Maki Maeda, Tuo Fan, Yu Tao, Hisashi Takano, Pham Nam Hai, “Spin Hall magnetic field sensing device using topological insulator”, Appl. Phys. Lett. 125, 242401 (2024).

本研究では、先行研究の逆スピンホール効果を用いた磁気センサーの研究に続き、スピンホール効果でも同様に磁界センシングできること、トポロジカル絶縁体BiSbの巨大なスピンホール効果による大きな出力電圧が得られたこと、さらに、トポロジカル絶縁体におけるスピンホール効果と逆スピンホール効果の相反関係も確認できました。

論文掲載:3次元磁性細線メモリに向けたALD成膜Ptのスピンホール効果の評価

3次元磁性細線メモリに向けたALD成膜Ptのスピンホール効果の評価に関する下記の研究成果がApplied Physics Letter誌に掲載された。

Ken Ishida, Kota Sato, Pham Nam Hai, “Spin Hall effect in platinum deposited by atomic layer deposition”, Appl. Phys. Lett. 125, 162404 (2024).

3次元の磁性細線メモリを実現するためには、スパッタリング成膜だけでは実現不可能のため、3次元成膜が可能なALD法を用いて、磁性層およびSOT層を成膜する必要がある。今回の研究では、SOT層として期待されているPtをALD法を用いて成膜し、そのスピンホール効果を評価した。

2024年秋季応用物理学会学術講演会で発表

新潟に開催した2024年秋季応用物理学会学術講演会でD2のHuy君とM1の李君が下記の発表を行いました。この2件の発表は日本サムスン社との共同研究の成果です。

[16a-D61-1]
Growth and evaluation of highly textured BiSb(001) topological insulator on Si/SiOx
〇L. Wentao, H. H. Huy, S. Takahashi, Y. Hirayama, Y. Kato, P. N. Hai

[16a-D61-2]
Spin Hall effect in annealed BiSb topological thin films deposited on Si/SiOx substrates
〇H. H. Huy, L. Wentao, S. Takahashi, Y. Hirayama, Y. Kato, P. N. Hai

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