論文掲載:3次元磁性細線メモリに向けたALD成膜Ptのスピンホール効果の評価
3次元磁性細線メモリに向けたALD成膜Ptのスピンホール効果の評価に関する下記の研究成果がApplied Physics Letter誌に掲載された。
3次元の磁性細線メモリを実現するためには、スパッタリング成膜だけでは実現不可能のため、3次元成膜が可能なALD法を用いて、磁性層およびSOT層を成膜する必要がある。今回の研究では、SOT層として期待されているPtをALD法を用いて成膜し、そのスピンホール効果を評価した。
2024年秋季応用物理学会学術講演会で発表
国際シンポジウムISAMMA2024で発表
ベトナムのQuang Binh市で開催されているThe 5th International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA2024) にPham教授、共同研究者の田中雅明教授、M1の江尻君が下記の発表を行いました。
[Invited] [SSp-I13] Pham Nam Hai, “Topological materials for advanced magnetic memory and sensor”
The 22nd International Conference on Magnetism (ICM2024)で発表
博士課程のZhang君がイタリアのボローニャで開催されていたThe 22nd International Conference on Magnetism (ICM2024)で下記の発表を行いました。
“High spin Hall angle in heterostructures of BiSb topological insulator and perpendicularly magnetized CoFeB/MgO multilayers with metallic interfacial layers”.
本研究はウエスタンデジタルテクノロジーズ合同会社との共同研究の成果です。
新しいメンバー
新B4の伊藤君と大枝君、北海道大学から新M1の佐藤君、韓国の大学から新D1のHu YiFan君が研究室に加えました。また、江尻君、石田君と李君がM1に進学しました。皆さんの活躍を期待します。
第71回春季応用物理学会学術講演会で発表
東京都市大学で開催した第71回春季応用物理学会学術講演会において、特任助教の白倉氏、D3のZhang君と西山君、M2の山本君、B4の江尻君が下記の発表を行いました。
[24p-P05-34] トポロジカル絶縁体BiSbのテラヘルツ分光特性
〇西山 黎、ファムナム ハイ、橋谷田俊、河野 行雄