国際学会IcAUMS2025で発表
Pham教授、博士課程のHu Yifan君、Liu Min君、加々美君、修士課程のLi君、OBのTuo Fan氏が沖縄で開催された国際学会IcAUMS2025で下記の発表を行いました。
[22aPS-3] Y. Hu, K. Sato, R. Zhang, K. Ishida, P. N. Hai, “Growth of Co thin Films with Low Roughness by ALD for 3D Magnetic Memory”.
[22aB-3] W. Li, H. Ho Hoang, S. Takahashi, Y. Hirayama, Y. Kato, P. N. Hai, “Growth of Highly Textured BiSb Topological Insulator on Si/SiOx substrates for Spin-Orbit Torque Devices Using TiOx/ MgO Buffer Layers”.
[22pC-3] M. Liu, R. Zhang, Q. Le, B. York, C. Hwang, X. Liu, M. Gribelyuk, X. Xu, S. Le, M. Maeda, F. Tuo, Y. Tao, H. Takano, P. N. Hai, “Spin Hall sensor using topological insulator”.
[22pB-9] S. Kagami, O. Fujie, D. Ito, Q. Le, B. York, C. Hwang, X. Liu, S. Le, M. Maeda, T. Fan, Y. Tao, H. Takano, P. N. Hai, “Role of Pt and Bi on the giant spin Hall effect in topological semimetal YPtBi”.
[22pB-10] F. Tuo, Q. Le, B. R. York, C. Hwang, X. Liu, M. A. Gribelyuk, S. Le, L. Xu, J. James, J. Ortega, M. Maeda, Y. Tao, H. Takano, M. Liu, R. Zhang, S. Namba, P. N. Hai, “Doped BiSbX Topological Insulator For Spin-Orbit Torque Devices”.
[22pB-12] P. N. Hai, K. Ishida, K. Sato, “Spin Hall effect in Platinum deposited by atomic layer deposition for 3D spin-orbit torque devices”.
2024年度の優秀修士論文賞を受賞!
加々美尚君の修士論文「異常ホール効果を用いた微細磁性細線における磁壁移動の電気的な評価」が2024年度の優秀修士論文賞を受賞しました。2025年3月26日の卒業式に表彰されました。おめでとうございます!
電気電子系電気電子コースおよび超スマート社会卓越教育院の令和7年3月博士課程修了者の代表に選出
D3のHo Hoang Huy君が電気電子系電気電子コースおよび超スマート社会卓越教育院の令和7年3月博士課程修了者の代表に選出されました。おめでとうございます!
論文掲載:トポロジカル絶縁体・磁性体界面のスピンホール効果向上メカニズムの解明
トポロジカル絶縁体・磁性体界面のスピンホール効果向上メカニズムを解明した研究成果がJournal of Applied Physics誌に掲載されました。本研究はウェスタンデジタル社との共同研究の成果です。
2025年春季応用物理学会学術講演会で発表
国際学会発表:2025 Joint MMM-Intermag
国際学会2025 Joint MMM-Intermagにおいて、D3のHuy君が下記の発表を行いました。本発表は日本サムスン社との共同研究の成果です。
[VP23-10] Hoang Huy Ho, Wentao Li, Shigeki Takahashi, Yoshiyuki Hirayama, Yushi Kato, Hai Pham, “Large spin orbit torque induced by high temperature annealed BiSb topological insulator on oxidized Si substrates”
論文掲載:トポロジカル絶縁体BiSbにおけるドーピング効果
トポロジカル絶縁体BiSbにおけるドーピング効果に関する研究成果はJapanese Journal of Applied Physics誌に掲載されました。本研究はウェスタンデジタル社との共同研究の成果です。
本研究では、トポロジカル絶縁体BiSbに様々な元素や分子をドーピングし、その効果を評価しました。ドーピングによって表面やバルクの伝導率、格子定数比a/c、融点、硬度、結晶粒径などを制御できることを示し、将来的にSOTデバイス応用に有利に働くことを示しました。
論文掲載:トポロジカル絶縁体のスピンホール効果を用いた磁気センサー
トポロジカル絶縁体のスピンホール効果を用いた磁気センサーに関する研究成果がApplied Physics Letters誌に掲載されました。本研究はウェスタンデジタル社との共同研究の成果です。
本研究では、先行研究の逆スピンホール効果を用いた磁気センサーの研究に続き、スピンホール効果でも同様に磁界センシングできること、トポロジカル絶縁体BiSbの巨大なスピンホール効果による大きな出力電圧が得られたこと、さらに、トポロジカル絶縁体におけるスピンホール効果と逆スピンホール効果の相反関係も確認できました。