論文掲載:3次元磁性細線メモリに向けたALD成膜Ptのスピンホール効果の評価

3次元磁性細線メモリに向けたALD成膜Ptのスピンホール効果の評価に関する下記の研究成果がApplied Physics Letter誌に掲載された。

Ken Ishida, Kota Sato, Pham Nam Hai, “Spin Hall effect in platinum deposited by atomic layer deposition”, Appl. Phys. Lett. 125, 162404 (2024).

3次元の磁性細線メモリを実現するためには、スパッタリング成膜だけでは実現不可能のため、3次元成膜が可能なALD法を用いて、磁性層およびSOT層を成膜する必要がある。今回の研究では、SOT層として期待されているPtをALD法を用いて成膜し、そのスピンホール効果を評価した。

2024年秋季応用物理学会学術講演会で発表

新潟に開催した2024年秋季応用物理学会学術講演会でD2のHuy君とM1の李君が下記の発表を行いました。この2件の発表は日本サムスン社との共同研究の成果です。

[16a-D61-1]
Growth and evaluation of highly textured BiSb(001) topological insulator on Si/SiOx
〇L. Wentao, H. H. Huy, S. Takahashi, Y. Hirayama, Y. Kato, P. N. Hai

[16a-D61-2]
Spin Hall effect in annealed BiSb topological thin films deposited on Si/SiOx substrates
〇H. H. Huy, L. Wentao, S. Takahashi, Y. Hirayama, Y. Kato, P. N. Hai

国際学会ICMBE2024で発表

島根県松江市に開催された国際学会ICMBE2024でPham教授が下記の発表を行いました。

[MO-B4-04] Very high Curie temperature (530 K) in (Ga,Fe)Sb ferromagnetic semiconductor grown by step-flow mode on vicinal GaAs substrates
〇Pham Nam Hai, Ken Takabayashi, Kota Ejiri, Masaaki Tanaka

国際学会SSDM2024で発表

Pham教授が姫路で開催したSSMD2024国際学会で下記の発表を行いました。

[J-4-04] New method for suppression of magnetic domain wall shift error in 3D magnetic domain-wall memory.
〇 Pham Nam Hai, Takanori Shirokura, Nguyen Huynh Duy Khang

国際シンポジウムISAMMA2024で発表

ベトナムのQuang Binh市で開催されているThe 5th International Symposium on Advanced Magnetic Materials and Applications (ISAMMA2024) にPham教授、共同研究者の田中雅明教授、M1の江尻君が下記の発表を行いました。

[Invited] [SSp-I13] Pham Nam Hai, “Topological materials for advanced magnetic memory and sensor”

[Keynote] Masaaki Tanaka, Kosuke Takiguchi, Nguyen Thanh Tu, Le Duc Anh, Pham Nam Hai, “A new class of Fe-doped III-V ferromagnetic semiconductors with high Curie temperature and their quantum heterostructures” 

[Oral] [TMh-O1] Kota Ejiri, Yota Endo, Kenta Takabayashi, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai, “Detection of Fe-induced impurity band in Bi-doped (InFe)(SbBi) ferromagnetic semiconductor using infrared magnetic circular dichroism spectroscopy”

海外訪問学生の研究室参加

中国の南京大学から3年生のMa Minzhe (马敏喆)君が海外訪問学生として研究室に参加しました。

The 22nd International Conference on Magnetism (ICM2024)で発表

博士課程のZhang君がイタリアのボローニャで開催されていたThe 22nd International Conference on Magnetism (ICM2024)で下記の発表を行いました。

“High spin Hall angle in heterostructures of BiSb topological insulator and perpendicularly magnetized CoFeB/MgO multilayers with metallic interfacial layers”.

本研究はウエスタンデジタルテクノロジーズ合同会社との共同研究の成果です。

新しいメンバー

新B4の伊藤君と大枝君、北海道大学から新M1の佐藤君、韓国の大学から新D1のHu YiFan君が研究室に加えました。また、江尻君、石田君と李君がM1に進学しました。皆さんの活躍を期待します。

R5年度の卒業式と送別会

3月26日に、冷たい雨の中、R5年度の卒業式と送別会が行われました。B4の江尻君と石田君、M2の長田君、高林君、南波君、山本君が無事に卒業しました。また、江尻君と石田君が電気電子系学士優秀学生賞の表彰を受けました。おめでとうございます!

修士の皆さん

電気電子系学士優秀学生賞を受賞したB4の江尻君

みんなで飲もう!

第71回春季応用物理学会学術講演会で発表

東京都市大学で開催した第71回春季応用物理学会学術講演会において、特任助教の白倉氏、D3のZhang君と西山君、M2の山本君、B4の江尻君が下記の発表を行いました。

[22a-12K-4] High spin Hall performance in YPtBi topological semimetal and perpendicular-anisotropy CoFeB junctions
〇Reo Yamamoto, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai

[22a-12K-5] High spin Hall angle in BiSb topological insulator and perpendicularly magnetized CoFeB/MgO multilayers with metallic interfacial layers
〇Ruixian Zhang, Hoang Huy Ho, Takanori Shirokura, Nam Hai Pham, Quang Le, Brian R. York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Xiaoyu Xu, Son Le, Michael Gribelyuk, Hisashi Takano, Maki Maeda, Fan Tuo, Yu Tao

[24a-71B-5] Observation of impurity band in (InFe)(SbBi) ferromagnetic semiconductor using infrared magnetic circular dichroism spectroscopy
〇Kota Ejiri, Yota Endo, Kenta Takabayasi, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai

[24p-P05-34] トポロジカル絶縁体BiSbのテラヘルツ分光特性
〇西山 黎、ファムナム ハイ、橋谷田俊、河野 行雄

[25p-71B-3] Giant spin Hall effect in sputtered topological semimetal YPtBi films grown at low temperature
〇Takanori Shirokura, Nam Hai Pham

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