論文掲載・プレスリリース：強磁性半導体の世界最高のキュリー温度を実現
強磁性半導体(Ga,Fe)Sbにおいて、世界最高のキュリー温度(530 K)を実現した研究成果はApplied Physics Letters誌に掲載されました。
強磁性半導体は半導体と磁性体の両方の特徴を有する材料で、半導体デバイスと磁性デバイスの機能性を融合するスピン機能半導体デバイスの実現に寄与すると期待されています。今までに (Ga,Fe) Sb強磁性半導体において達成できたキュリー温度は最高で420 K (147 ℃)でした。この値は室温より高いものですが、室温でスピン機能の半導体デバイスを安定的に動作させるためには、不十分です。また、添加したFe原子あたりの磁気モーメントが2~3 ボーア磁子程度であり、理想的な値の5ボーア磁子よりも小さいことから、添加したFe原子がすべて活性化しない（磁性へ貢献しない）ことが分かります。従って、室温でスピン機能の半導体デバイスを安定的に動作させるためには、強磁性半導体の高品質化（キュリー温度の増大、ボーア磁子の増大）の手法を開発する必要があると考えました。そこで、本研究では、ステップフロー成長法を用いて、高濃度のFe添加でも、高い結晶性を有する (Ga,Fe) Sb強磁性半導体を作製しました。この方法で作製した (Ga,Fe) Sbのキュリー温度は530 K（257℃）に達成し、従来の方法で作製したものよりも大幅にキュリー温度を上昇させることができました。さらに、室温におけるFe原子あたりの磁気モーメントは、従来よりも2倍大きい4.5ボーア磁子を達成しました。本研究成果は、室温で動作可能な低消費電力スピン機能半導体デバイスの実現に寄与すると考えられます。
図（a）作製したサンプルの断面構造。（b）電子顕微鏡像
Press release: Achieving a Record-High Curie Temperature in Ferromagnetic Semiconductor
論文掲載：トポロジカル半金属YPtBiにおけるPtとBi組成の役割を解明
トポロジカル半金属YPtBiにおけるPtとBi組成の役割を解明した研究成果がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました。本研究はウェスタンデジタル社との共同研究の成果です。
論文掲載：トポロジカル絶縁体BiSbの(012)高配向およびエピタキシャル膜における熱処理効果とスピンホール効果
トポロジカル絶縁体BiSbの(012)高配向およびエピタキシャル膜における熱処理効果とスピンホール効果に関する研究成果がJapanese Journal of Applied Physics誌に掲載されました。本研究はウェスタンデジタル社との共同研究成果です。
国際学会IcAUMS2025で発表
Pham教授、博士課程のHu Yifan君、Liu Min君、加々美君、修士課程のLi君、OBのTuo Fan氏が沖縄で開催された国際学会IcAUMS2025で下記の発表を行いました。
[22aPS-3] Y. Hu, K. Sato, R. Zhang, K. Ishida, P. N. Hai, “Growth of Co thin Films with Low Roughness by ALD for 3D Magnetic Memory”.
[22aB-3] W. Li, H. Ho Hoang, S. Takahashi, Y. Hirayama, Y. Kato, P. N. Hai, “Growth of Highly Textured BiSb Topological Insulator on Si/SiOx substrates for Spin-Orbit Torque Devices Using TiOx/ MgO Buffer Layers”.
[22pC-3] M. Liu, R. Zhang, Q. Le, B. York, C. Hwang, X. Liu, M. Gribelyuk, X. Xu, S. Le, M. Maeda, F. Tuo, Y. Tao, H. Takano, P. N. Hai, “Spin Hall sensor using topological insulator”.
[22pB-9] S. Kagami, O. Fujie, D. Ito, Q. Le, B. York, C. Hwang, X. Liu, S. Le, M. Maeda, T. Fan, Y. Tao, H. Takano, P. N. Hai, “Role of Pt and Bi on the giant spin Hall effect in topological semimetal YPtBi”.
[22pB-10] F. Tuo, Q. Le, B. R. York, C. Hwang, X. Liu, M. A. Gribelyuk, S. Le, L. Xu, J. James, J. Ortega, M. Maeda, Y. Tao, H. Takano, M. Liu, R. Zhang, S. Namba, P. N. Hai, “Doped BiSbX Topological Insulator For Spin-Orbit Torque Devices”.
[22pB-12] P. N. Hai, K. Ishida, K. Sato, “Spin Hall effect in Platinum deposited by atomic layer deposition for 3D spin-orbit torque devices”.
R7年度の新しいメンバー
新B4の連尾君、藤江君（B2D）、顔君、東京電機大学から新M1の籠君、ホーチミン市教育大学から新M1のTrinh Dai Hoang Long君、北陸先端科学技術大学院大学から新D1のPham Van Thuan君が研究室に加えました。また、大枝君と伊藤君がM1に、加々美君がD1に進学しました。また、Ho Hoang Huyさんが助教に着任しました。皆さんの活躍を期待します。
R6年度卒業式と送別会
3月2 6日に、初春の桜が咲く晴天の中、R6年度の卒業式と送別会が行われました。B4の大枝君と伊藤君、M2の加々美君と齋藤君、D3のＨｕｙ君が無事に卒業しました。また、加々美君は優秀修士論文賞を受賞し、Ｈｕｙ君は電気電子系電気電子コースおよび超スマート社会卓越教育院の令和7年3月博士課程修了者の代表に選出されました。おめでとうございます！
2024年度の優秀修士論文賞を受賞！
加々美尚君の修士論文「異常ホール効果を用いた微細磁性細線における磁壁移動の電気的な評価」が2024年度の優秀修士論文賞を受賞しました。2025年3月26日の卒業式に表彰されました。おめでとうございます！
電気電子系電気電子コースおよび超スマート社会卓越教育院の令和7年3月博士課程修了者の代表に選出
D3のHo Hoang Huy君が電気電子系電気電子コースおよび超スマート社会卓越教育院の令和7年3月博士課程修了者の代表に選出されました。おめでとうございます！
論文掲載：トポロジカル絶縁体・磁性体界面のスピンホール効果向上メカニズムの解明
トポロジカル絶縁体・磁性体界面のスピンホール効果向上メカニズムを解明した研究成果がJournal of Applied Physics誌に掲載されました。本研究はウェスタンデジタル社との共同研究の成果です。
2025年春季応用物理学会学術講演会で発表
東京理科大学野田キャンパスで開催された2025年春季応用物理学会学術講演会でPham教授、D3のZhang君とLiu君、M2の加々美君が下記の発表を行いました。
ギャラリー
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- 2019年夏短期留学生の歓迎会
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- ドイツイノベーションアワード
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- 英語講演奨励賞の受賞
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- 2019年３月卒業式
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- Nature Materials論文掲載
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- 研究室のスキー旅行