Pham Nam Hai Research Group

B4の荒川君と長峰君が無事に卒業しました。おめでとうございます！

皆さん一年間ご苦労様でした。

第63回応用物理学会春季学術講演会で、B4の長峰君、M1の植田君と共同研究者のAnh氏が下記の発表を行いました。

[21a-W241-5] Epitaxial growth of Bi_1-xSb_x spin-Hall alloy on GaAs(111) substrates
〇植田 裕吾、ファム ナムハイ

[19p-P1-71] Magnetic properties of (In,Fe)As grown on vicinal GaAs substrates
〇長峰 諒英、吉田 統彦、田中 雅明、ファム ナム ハイ

[19p-W241-3] Observation of spontaneous spin-splitting in the band structure of n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As
〇Le Anh Duc、Pham Nam Hai、Tanaka Masaaki

SiにドープしたMn原子のd軌道間光学遷移を利用した可視光Si発光素子の研究成果がPhys. Rev. B誌に掲載されました。

Pham Nam Hai, Daiki Maruo, Le Duc Anh, and Masaaki Tanaka, “Visible-light emission at room temperature in Mn-doped Si light-emitting diodes”,  Phys. Rev. B 93, 094423 (2016).

本研究は、3d遷移金属のd-d光学遷移を利用したSi発光素子としては世界初です。III-V族半導体を使わず、Siそのままを利用するため、Si発光素子の新しいメカニズムとして期待できます。

Si:Mn発光素子の(a)白黒高感度カメラ(b)可視光カメラによって撮影した発光様子、(c)発光スペクトル。E₁とE₂はMnのp-d混成軌道間の光学遷移に対応している。

応用物理学会の機関紙「応用物理」Vol.85, No.3にPham准教授が寄稿したInside Outコラムが掲載されました。

http://www.jsap.or.jp/OUBUTU-SEC/PDF/2016/03/OB850234.pdf

M1の植田君が主催しているスキーツアーに行きました！

光電子分光を専門としている東京大学藤森研究室と共同で、X線磁気円二色法を用いて、強磁性半導体(In,Fe)Asの磁化過程を解明した研究成果がPhys. Rev. B誌に出版されました。

S. Sakamoto, L. D. Anh, P. N. Hai, G. Shibata, Y. Takeda, M. Kobayashi, Y. Takahashi, T. Koide, M. Tanaka,　and A. Fujimori, “Magnetization process of the n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As:Be studied by x-ray magnetic circular dichroism”, Phys. Rev. B 93, 035203/1-6 (2016).

今回の論文では、マクロな強磁性が出現する前に(T > T_C)、強磁性なナノ領域が存在し、キュリー温度に近づけるとその密度が増えて、最後にナノ領域同士が繋がることでマクロな強磁性が発生している過程を明らかにしました（下図参照）。

下記の発表が2015年秋期応物学会の英語講演奨励賞を受賞することが決定致しました。本賞は応用物理学会スピントロニクス大分類において英語講演 を行った学生講演者の中から、各中分類で最も素晴らしい発表をされた学生に送られる賞です。今回はGaFeSb真性強磁性半導体におおいて、世界で初めて室温を超えたキュリー温度を実証した研究成果が評価されます。

*Tu Nguyen, Nam Hai Pham, Duc Anh Le, Masaaki Tanaka; “High-temperature ferromagnetism in heavily Fe-doped ferromagnetic semiconductor (Ga,Fe)Sb”; 第76回応用物理学会秋期学術講演会; 16a-3A-10; 名古屋国際会議場; 2015年9月16日.

Pham研が開発した精密温度制御用直流安定電源回路の設計図を公開しました。非商用の研究開発、教育に利用していただけます。

今回に開発した電源は市販品の半分以下のコストおよび半分以下の面積とコンパクトの電源です。600Wの電源を1Uラックに2台設置できます。

下記の論文がAppl. Phys. Lett.誌に出版されました。

Le Duc Anh, Daiki Kaneko, Pham Nam Hai, and Masaaki Tanaka, “Growth and characterization of insulating ferromagnetic semiconductor (Al,Fe)Sb”, Appl. Phys. Lett. 107, 232405/1-4 (2015).

今回の論文では、スピンフィルタとして動作可能な絶縁的な強磁性半導体(Al,Fe)Sbを実証しました。これによって、鉄系強磁性半導体はn型、p型および絶縁タイプのすべてが実現できました。（従来のMn系強磁性半導体では、p型強磁性半導体しか実現できませんでした）。