Pham Nam Hai Research Group

9th International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Solids (PASPS9)国際学会にて、M2の大塚、M2の植田、D2のHiep、共同研究者のAnh氏、共同研究者のTu氏が下記の発表を行いました。

<O-18>Giant spin-valve effect in (Ga,Fe)Sb/(In,Fe)As ferromagnetic p-n junctions

°Tomohiro Otsuka, Yuto Arakawa, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai

<O-25>High-Temperature Ferromagnetism in Heavily Fe-doped Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Fe)Sb

°Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh, Masaaki Tanaka

<P1-1> Spontaneous spin-split band structure of n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As observed by tunneling spectroscopy

°Le Duc Anh, Pham Nam Hai, Masaaki Tanaka

(Young Researcher Best Poster Awardを受賞)

<P1-15> Spin transport in nanoscale silicon channels

°Duong Dinh Hiep, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai

<P1-48> Growth and characterization of Bi1-xSbx thin films on GaAs(111) substrates

°Yugo Ueda, Pham Nam Hai

下記の論文がApplied Physics LettersのEditor’s Picksに選べられた

High-temperature ferromagnetism in heavily Fe-doped ferromagnetic semiconductor (Ga,Fe)Sb

(2016年5月15日の週)

米国Applied Physics Letters誌に(Ga,Fe)Sbの室温強磁性半導体の研究成果が掲載されました。

Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh, Masaaki Tanaka, “High-temperature ferromagnetism in heavily Fe-doped ferromagnetic semiconductor (Ga,Fe)Sb”, Appl. Phys. Lett. 108, 192401 (2016).

半導体の室温強磁性はスピントロニクス研究の最重要な課題の一つであり、９０年台前半から世界中の研究者が取り組んできました。しかし、今まで２００Ｋ以下しか強磁性が観測できませんでした。

今回、我々は従来の研究とはまったく異なるアプローチで、狭ギャップ半導体GaSbに鉄原子をドーピングすることによって、非常に高いキューリ温度を実現できることを見出しました。鉄原子濃度を順調に伸ばして、ついに室温強磁性を実現しました。

本研究成果はAmerican Institute of Physicsによって注目論文として選べられ、Applied Physics Letters誌の最新号のカバーとして飾りました。

http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/108/19

さらに、一般メディア向けの解説も掲載されます。
https://www.aip.org/publishing/journal-highlights/best-both-worlds

新しい卒研生の西嶋 健人君と八尾 健一郎君が研究室に参加しました。皆さんの活躍を期待しています。

ドイツからRobert Baumgartner君が、ベトナムからNguyen Huynh Duy Khang君が新しいメンバーとして研究室に配属しました。皆さんの活躍を期待しています。

B4の荒川君と長峰君が無事に卒業しました。おめでとうございます！

皆さん一年間ご苦労様でした。

第63回応用物理学会春季学術講演会で、B4の長峰君、M1の植田君と共同研究者のAnh氏が下記の発表を行いました。

[21a-W241-5] Epitaxial growth of Bi_1-xSb_x spin-Hall alloy on GaAs(111) substrates
〇植田 裕吾、ファム ナムハイ

[19p-P1-71] Magnetic properties of (In,Fe)As grown on vicinal GaAs substrates
〇長峰 諒英、吉田 統彦、田中 雅明、ファム ナム ハイ

[19p-W241-3] Observation of spontaneous spin-splitting in the band structure of n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As
〇Le Anh Duc、Pham Nam Hai、Tanaka Masaaki

SiにドープしたMn原子のd軌道間光学遷移を利用した可視光Si発光素子の研究成果がPhys. Rev. B誌に掲載されました。

Pham Nam Hai, Daiki Maruo, Le Duc Anh, and Masaaki Tanaka, “Visible-light emission at room temperature in Mn-doped Si light-emitting diodes”,  Phys. Rev. B 93, 094423 (2016).

本研究は、3d遷移金属のd-d光学遷移を利用したSi発光素子としては世界初です。III-V族半導体を使わず、Siそのままを利用するため、Si発光素子の新しいメカニズムとして期待できます。

Si:Mn発光素子の(a)白黒高感度カメラ(b)可視光カメラによって撮影した発光様子、(c)発光スペクトル。E₁とE₂はMnのp-d混成軌道間の光学遷移に対応している。

応用物理学会の機関紙「応用物理」Vol.85, No.3にPham准教授が寄稿したInside Outコラムが掲載されました。

http://www.jsap.or.jp/OUBUTU-SEC/PDF/2016/03/OB850234.pdf

M1の植田君が主催しているスキーツアーに行きました！