CRESTプロジェクト採択決定

私たちの提案である「トポロジカル表面状態を用いるスピン軌道トルク磁気メモリの創製」が科学技術振興機構(JST)の戦略的創造研究推進事業のCREST研究領域「トポロジカル材料科学に基づく革新的機能を有する材料・デバイスの創出」に採択されました。

http://www.jst.go.jp/kisoken/crest/application/2018/180918/180918crest.pdf

第79回応用物理学会秋季学術講演会で発表

名古屋国際会議場で開催される第79回応用物理学会秋季学術講演会でD2のKhang君、M2の西嶋君、八尾君、M1の長南君が下記の発表を行います。

[20a-131-8] Room-temperature field-free formation of stable skyrmions in BiSb/MnGa bi-layers
〇Nguyen Huynh Duy Khang, Fan Tuo, Hai Pham Nam

[21a-131-5] Crystal Growth of BiSb topological insulator on GaAs(001), (111)A and (111)B substrates
〇Kenichiro Yao, Duy Khang Nguyen Huynh, Masataka Ichimura, Nam Hai Pham

[21a-131-7] Fabrication and evaluation of Fe delta-doped (In,Fe)Sb high sensitivity magnetic sensors
〇Kento Nishijima, Masaaki Tanaka, Nam Hai Pham

[21a-131-8] Spin dependent transport characteristics of spin bipolar transistors based on Fe doped ferromagnetic semiconductors
〇Koki Chonan, Yuto Arakawa, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai

ICMBE2018国際学会で発表

中国の上海で開催された国際学会20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2018)にM2の八尾君と西嶋君,共同研究者のAnh氏と田中教授(東京大学)が下記の発表を行いました。

  • [Fr-C2-3] Kento Nishijima, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai, “Fe delta-doped (In,Fe)Sb ferromagnetic semiconductor thin films for magnetic-field sensors with ultrahigh sensitivity”.
  • [Fr-C2-4] Kenichiro Yao, Nguyen Huynh Duy Khang, Pham Nam Hai, “Influence of crystal orientation and surface termination on the growth of BiSb topological insulator thin films on GaAs substrates”.
  • [We-C2-1]Le Duc Anh, Pham Nam Hai, and Masaaki Tanaka, “Voltage-Controlled Magneto-conductance in N-type Ferromagnetic Semiconductor (In,Fe)As-based Spin Esaki Diodes”
  • [Invited] [Th-C2-1] Masaaki Tanaka, Le Duc Anh, Nguyen Thanh Tu, and Pham Nam Hai. “New n-type and p-type ferromagnetic semiconductors with high TC“.

国際学会SPIE Spintronics XIで招待講演

Pham准教授はSan Diegoで開催中のSPIE Spintronics XI国際学会に招待講演を行いました。

[Invited] [10732-29] Conductive BiSb topological insulator with colossal spin Hall effect for ultra-low power spin-orbit-torque switching.

○ Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, Kenichiro Yao, Yugo Ueda.

論文掲載:トポロジカル絶縁体で世界最高性能の純スピン注入源を開発

博士課程のKhang君の研究成果が英国の学術誌Nature materialsに掲載されました。

掲載誌 :
Nature Materials, 17, 808–813 (2018)
論文タイトル :
A conductive topological insulator with large spin Hall effect for ultralow power spin-orbit torque switching
著者 :
Nguyen Huynh Duy Khang, Yugo Ueda, Pham Nam Hai
DOI :

今回の研究は次世代スピン軌道トルク磁気抵抗メモリの実現に向けた、トポロジカル絶縁体であるBiSbの(012)面方位を用いた世界最高性能の純スピン注入源を開発しました。

スピン軌道トルク磁気抵抗メモリは、スピンホール効果による純スピン流を用いて、高速で書き込みができる次世代の不揮発メモリ技術です。しかし、従来から純スピン流源として使われている白金やタングステンなどの重金属は、スピンホール角が低い(0.1~0.4程度)という問題がありました。本研究では、BiSb(ビスマス/アンチモン)トポロジカル絶縁体薄膜を評価したところ、電気伝導率が金属並みと高い上に、室温でも超巨大なスピンホール角(~52)を示すBiSb(012)面を発見しました。さらに今回、BiSb(012)の薄膜を用いて、従来よりも1桁~2桁少ない電流密度でMnGa(マンガン/ガリウム)垂直磁性膜の磁化反転を実証しました。

このBiSbをスピン軌道トルク磁気抵抗メモリへ応用すると、データの書き込みに必要な電流を1桁、エネルギーを2桁低減でき、さらに記録速度を20倍、記録密度を1桁向上させられます。

本成果は、トポロジカル絶縁体を用いた場合、特性が優れたSOT-MRAMを実現することで、トポロジカル絶縁体の産業応用のきっかけになる可能性があります。

トポロジカル絶縁体を応用した高性能磁気メモリが実現できれば、組み込みメモリ(SRAMやFLASH)やワーキングメモリ(DRAM)の置き換えができることから、電子機器の省エネルギー化というインパクトがあるだけでなく、5~10兆円の新メモリ市場の展開も期待できます。今後は、産業界と連携して、SOT-MRAMの早期実用化を目指します。

プレスリリース:トポロジカル絶縁体で世界最高性能の純スピン注入源を開発。次世代スピン軌道トルク磁気抵抗メモリの実現に期待

Press release: A colossal breakthrough for topological spintronics

電気電子系ニュース:トポロジカル絶縁体で世界最高性能の純スピン注入源を開発

EE Times Japan:  トポロジカル絶縁体で高性能純スピン注入源開発

新しいメンバー

シンガポール南洋理工大学(NTU)からMaria Wei Yee LEEさんが海外交流学生として研究室に滞在して、研究を開始しました。

AAPPS BulletinにFeature Articleが掲載

アジア太平洋地域物理学会の機関誌AAPPS Bulletinに博士課程のHiep君の研究成果がFeature Articleとして掲載されました。

Duong Dinh Hiep, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai, “Spin-valve Effect in Nanoscale Si-based Devices”, AAPPS Bulletin Vol. 28, No. 3, pp 7-15 (2018)

論文掲載:n型室温強磁性半導体(In,Fe)Sbの創製

東京大学と共同でn型室温強磁性半導体(In,Fe)Sbの作製に成功した研究成果がApplied Physics Express誌に掲載されました。

Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh, and Masaaki Tanaka, “High-temperature ferromagnetism in new n-type Fe-doped ferromagnetic semiconductor (In,Fe)Sb”, Appl. Phys. Express 11, 063005 (2018).

今回の研究は室温以上のキュリー温度を示すn型強磁性半導体を実現できただけでなく、鉄系強磁性半導体のキュリー温度はバンドギャップが小さくなればなるほど高くなる傾向があることを示し、従来の平均場Zenerモデルと対照的であることを明らかにしました。特に、従来の平均場Zenerモデルでは、n型強磁性半導体のキュリー温度が1 Kを超えられないと予測したことから、今回の研究成果の意義が大きい。

新しいメンバー

新B4の中野君、高橋君、新M1の市村君、曾智君、新研究生の脱凡君が研究室のメンバーとして加わりました。皆さんの活躍を期待します。

論文掲載:(In,Fe)Sb強磁性半導体におけるプレーナーネルンスト効果

博士研究員のTinh氏の(In,Fe)Sb強磁性半導体におけるプレーナーネルンスト効果に関する研究成果がJournal of Applied Physics誌に掲載されました。

Cong Tinh Bui, Christina A. C. Garcia, Nguyen Thanh Tu, Masaaki Tanaka, and Pham Nam Hai, “Planar Nernst effect and Mott relation in (In,Fe)Sb ferromagnetic semiconductor”, J. Appl. Phys. 123, 175102 (2018).

従来の研究では、磁化が面直な磁性体において、磁気電気伝導と磁気熱伝導の間にモット関係が成り立つ事が証明されましたが、磁化が面内の場合、そのモット関係が分かっていませんでした。今回の研究で面内の磁気電気伝導と磁気熱伝導の間にもそのモット関係が成り立つ事を初めて示すことができました。

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