卒業お祝い

M2の長南君、市村君、曽智君とB4のKevin君が無事に卒業しました。

おめでとうございます!

論文掲載:バイアス磁場不要の超低電流スピンホール型マイクロ波発振器

バイアス磁場不要の超低電流スピンホール型マイクロ波発振器に関する研究成果がJournal of Applied Physics誌に掲載されました。

Takanori Shirokura, Pham Nam Hai, “Bias-field-free spin Hall nano-oscillators with an out-of-plane precession mode”, J. Appl. Phys. 127, 103904 (2020).

スピントルクを用いるマイクロ波発振器はサイズが数10nmと極めて小さく、人工知能やマイクロ波アシスト磁気記録に欠かせないデバイスです。しかし、従来のスピン偏極電流を用いたマイクロ波発振器(Spin torque nano oscillator; STNO)は駆動電流が大きく、信頼性に問題がありました。一方、スピンホール効果によるスピン軌道トルクを用いると、駆動電流が一桁以上小さく抑えることができると知られています。しかし、スピンホール型マイクロ波発振器は発振には磁場印加が必要でした。そこで、本研究では、バイアス磁場の印加無しで発振可能な新しいスピンホール型マイクロ波発振器(Spin Hall nano oscillator; SHNO)を提案しました。これにより、磁場印加が不要かつ超定電流駆動できる信頼性が高いマイクロ波発振器が実現できます。

図(a)磁化を面直方向に歳差運動させることによって、バイアス磁場の印加が必要なくなることを発見。(b) STNOよりも極めて少ない電流で駆動可能。特にスピンホール効果が強いトポロジカル絶縁体を用いると、nAで駆動可能である。

手島精一記念研究賞を受賞

元博士課程3年のKhangさん(現Pham研博士研究員)は令和元年手島精一記念研究賞(留学生研究賞)を受賞しました。おめでとうございます!

論文掲載:世界最高値のスピンバルブ比12%を達成

MnGa垂直磁化膜と半導体GaAsからなる横型スピンバルブ構造において、世界最高の12%のスピンバルブ比と33mVのスピン依存出力電圧を達成した研究成果はJapanese Journal of Applied Physics誌に掲載されました。
Koki Chonan, Nguyen Huynh Duy Khang, Masaaki Tanaka, and Pham Nam Hai, “Large magnetoresistance and spin-dependent output voltage in a lateral MnGa/GaAs/MnGa spin-valve device”, Jpn. J. Appl. Phys. 59, SGGI08 (2020).

今回は分子線エピタキシャル結晶成長法を用いて、良好なMnGa/GaAs界面を作製ができました。さらに、電子ビームリソグラフィーとイオンミーリン法による600 nmという短いGaAsチャネルを持つナノスケールのMnGa/GaAs/MnGaの横型スピンバルブ構造を作製しました。その結果、世界最高の性能を達成できました。

Kavli ITS Workshopで招待講演

中国の北京で開催されていたThe 2nd Kavli ITS Workshop on Magnetic Semiconductorsの国際ワークショップでファム准教授と共同研究者の田中教授が招待講演を行いました。

Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, Yasuyoshi Miyamoto, “Giant spin Hall effect in BiSb topological insulator”

Masaaki Tanaka, Le Duc Anh, Kosuke Takiguchi, Shobhit Goel, Shinobu Ohya, Nguyen Thanh Tu, and Pham Nam Hai, “Fe-doped narrow-gap III-V ferromagnetic semiconductors and related heterostructures with high Curie temperature”

注目論文掲載:巨大な一方向性スピンホール磁気抵抗効果

巨大な一方向性スピンホール磁気抵抗効果に関する研究成果は米物理協会の雑誌Journal of Applied Physicsに注目論文として掲載されました。

Nguyen Huynh Duy Khang and Pham Nam Hai, “Giant unidirectional spin Hall magnetoresistance in topological insulator – ferromagnetic semiconductor heterostructures”, Journal of Applied Physics 126, 233903 (2019).

一方向性スピンホール磁気抵抗効果は非磁性体・磁性体の接合において、非磁性体のスピンホール効果によって、接合抵抗が磁性体の180°磁化反転に応じて変化する現象である。この現象を利用すれば、2層だけの極めて簡易な構造の面内型スピン軌道トルク磁気抵抗メモリーの実現が期待できる。しかし、従来研究されてきた重金属・磁性金属の接合においては接合の抵抗変化が0.001 %台と極めて微小であるため、デバイス応用に必要な1%以上の抵抗変化の実現が難しいと考えられてきた。

今回の研究では、スピンホール効果が強いトポロジカル絶縁体と強磁性半導体を組み合わせたことで、従来の3桁高い1.1 %の巨大な抵抗変化を達成した。さらに巨大な一方向性磁気抵抗効果の起源が強磁性半導体中のマグノン励起・吸収とスピン無秩序散乱によって生じることを明らかにした。

プレスリリス:巨大な一方向性スピンホール磁気抵抗効果を実証-従来の3桁高い1.1%の巨大な抵抗変化を達成-

Press release: Paving the way for spintronic RAMs: A deeper look into a powerful spin phenomenon

PASPS-24で発表

M1の中野君が東北大学で開催された第24回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-24)において、下記の発表を行いました。

[P-6] Soichiro Nakano, Kenichiro Yao, Pham Nam Hai. “Improved thermal stability of BiSb topological insulator for embedded MRAM”

応用物理学会 応用電子物性分科会 研究例会 -スピントロニクスの最前線-で招待講演

Pham准教授は応用物理学会 応用電子物性分科会 研究例会 -スピントロニクスの最前線-(2019年12月16日)で招待講演を行いました。

(招待講演) Pham Nam Hai : “トポロジカル絶縁体スピントロニクス”

論文掲載:室温無磁場で基底状態のスキルミオンの発生に成功

室温無磁場で基底状態のスキルミオンの発生に成功した研究成果はAIP Advances誌に掲載されました。

Nguyen Huynh Duy Khang, Tuo Fan, and Pham Nam Hai, ”Zero-field topological Hall effect as evidence of ground-state skyrmions at room temperature in BiSb/MnGa bilayers”, AIP Advances 9, 125309 (2019)

スキルミオンは空間対称性が破れたバルク磁性体や磁性体/非磁性体界面において発生しうるトポロジカル磁気渦で、サイズが小さいこと微小電流で移動できるため、次世代の不揮発性メモリやBrownian計算機などに利用できると期待されています。しかし、今間ではスキルミオンを発生させるために、磁場をかけたり、外部の刺激によって準安定状態にあげたりする必要がありました。今回の研究では磁性体に垂直磁化膜のMnGa,非磁性体にBiSbトポロジカル絶縁体を使うことで、室温かつ磁場無で、安定なスキルミオンの形成に成功しました。実験では、スキルミオン特有なトポロジカルホール効果を使って検出しました。また、マイクロマグネティックシミュレーションでスキルミオにのサイズが55~80 nmと見積もられて、実験で観測したトポロジカルホール効果を十分説明できることが分かりました。

スキルミオンのエネルギー。S = 0は強磁性状態、S = 1はスキルミオン状態を表す。(a)準安定のスキルミオン(従来)、(b)安定状態(基底状態)のスキルミオン(本研究)。

ICAMD 2019国際学会で招待講演

Pham准教授と共同研究者の田中雅明教授が韓国で開催された国際学会The 11th International Conference on Advanced Materials and Devices (ICAMD 2019), Dec. 10~13, Jeju, Koreaで下記の招待講演を行いました。

[SA-IN19-006] (Invited) Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, “Giant spin Hall effect in topological insulalor”

[SA-IN19-007] (Invited) Masaaki Tanaka, Le Duc Anh, Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, “New Fe-doped III-V ferromagnetic semiconductors and their heterostructures”

過去ニュース

クイックアクセス