シンポジウム開催のお知らせ

8月9日に大岡山キャンパスでSymposium on Topotronics for the Metaverseを開催します。

論文掲載: 光電子分光によるMnGa磁性体のバンド構造の観測

MnGa磁性体のバンド構造を光電子分光法を用いて観測した研究成果がPhysical Review Materialsに掲載されました。本研究は東大の小林グループとの共同研究です。

M. Kobayashi, N. H. D. Khang, T. Takeda, K. Araki, R. Okano, M. Suzuki, K. Kuroda, K. Yaji, K. Sugawara, S. Souma, K. Nakayama, K. Yamauchi, M. Kitamura, K. Horiba, A. Fujimori, T. Sato, S. Shin, M. Tanaka, and P. N. Hai, “Rhombic Fermi surfaces in a ferromagnetic MnGa thin film with perpendicular magnetic anisotropy”, Phys. Rev. Materials 6, 074403 (2022).

MnGaはスピン軌道相互作用が強い元素を含まないにもかかわらず、非常に強い垂直磁気異方性(~4-5 Tesla)を有する磁性体です。また、他の重金属やトポロジカル絶縁体と界面において、強いDMI相互作用やスキルミオンの発生など、顕著な特性を持っています。今回に、光電子分光法を用いてMnGaのバンド構造を解明しました。その結果、X点において、電子のポケットの存在することを明らかにしました。

論文掲載:トポロジカル半金属YPtBiにおけるスピンホール効果の組成依存性

トポロジカル半金属YPtBiにおけるスピンホール効果の組成依存性を評価した研究成果がJapanese Journal of Applied Physics誌に掲載されました。本成果はキオクシア株式会社との共同研究による成果です。

Takanori Shirokura , Tsuyoshi Kondo, and Pham Nam Hai, “Effect of stoichiometry on the spin Hall angle of the half-Heusler alloy topological semimetal YPtBi”, Japanese Journal of Applied Physics 61, 073001 (2022).

今回の研究では、YPtBi組成ずれがあっても、スピンホール効果ー伝導率の関係がほとんど変わらないことが分りました。つまり、YPtBiのスピンホール効果は組成ずれに対して、ロバストであることを示しました。

Nature Communications誌の2021 Top 25 Physics Articlesにランクイン

2021年に出版した論文“Magnetic memory driven by topological insulators”, Nature Communications 12, 6251 (2021)がNature Communications誌の2021 Top 25 Physics Articlesにランクインしました。

論文掲載:ナノ秒の超高速超低消費電力磁化反転に成功

BiSbトポロジカル絶縁体の巨大スピンホール効果を生かして、ナノ秒台の超高速超低消費電力磁化反転を実証した研究成果がApplied Physics Letters誌のEditor’s pickとして掲載されました。なお、本成果は東工大-NHK放送技術研究所との共同研究によるものです。

Nguyen Huynh Duy Khang, Takanori Shirokura, Tuo Fan, Mao Takahashi, Naoki Nakatani, Daisuke Kato, Yasuyoshi Miyamoto, and Pham Nam Hai, “Nanosecond ultralow power spin orbit torque magnetization switching driven by BiSb topological insulator”,  Appl. Phys. Lett. 120, 152401 (2022)

図(a)超高速磁化反転を実証するための膜構造。(b)作製した素子の写真。(c)-(f) パルス幅 1~4ナノ秒のパルス電流を掃引した時の磁化反転。(g) 3ナノ秒の正負のパルス電流(1.3×107 A/cm2)をBiSbに連続的に印加した時の磁化反転。(h) 1ナノ秒から1ミリ秒まで、様々なパルス電流を印加した時の磁化反転に必要な閾値電流密度。

プレスリリース:トポロジカル絶縁体による磁性体の超高速磁化反転に成功~超高速スピン軌道トルク磁気抵抗メモリの実用化へ加速~

研究室の新メンバー

西山君と張君がD1に、長田君と南波君がM1に進学しました。また、新B4の加々美 君と有川君、新M1 高林君と山本君が研究室に参加しました。皆さんの活躍を期待します。

研究員のKhangさんの任期満了による帰国

JSPS外国人特別研究員のKhangさんが2年間の任期を終了し、帰国することになりました。Khangさんが研究生、博士課程、博士研究員、JSPS外国人特別研究員の6年間をPham研に在籍し、その間に筆頭と共同著者を含めて15本の論文を発表し、Pham研に多大な貢献をしました。特に2018年に発表したNature Materialsの論文がその後にJST CRESTのプロジェクト採用に繋がりました。本当にご苦労様でした。今後にホーチミン市教育大学の教員としてご活躍を期待します。

令和3年度卒業式

B4の南波君、長田君、M2の佐々木君、トウイク君、張君、西山君が無事に卒業しました。おめでとうございます!

優秀修士論文賞を受賞

M2の佐々木君の修士論文「Interface Engineering in BiSb Topological Insulator / Ferromagnetic Multilayers」が優秀修士論文賞を受賞しました。2022年3月28日の卒業式に表彰されました。また、佐々木君が令和4年3月修士課程修了者の代表に選出されました。おめでとうございます!

2022年度春季応用物理学会発表:NHK放送技術研究所、サムスン日本研究所との共同研究成果等4件

2022年度春季応用物理学会にて、研究員のKhang氏(NHK放送技術研究所との共同研究)、共同研究者の宗田氏、D2の白倉君、M1のTran君(サムスン日本研究所との共同研究)が下記の発表を行いました。

[23a-E205-2] Angle resolved second harmonic technique for precise evaluation of spin orbit torque in strong perpendicular magnetic anisotropy systems
〇Takanori Shirokura、Pham Nam Hai

[23p-E205-2] 二次元多結晶二硫化モリブデン原子層状膜における超低電流強磁性変調
〇宗田 伊理也、白倉 孝典、ファム ナムハイ、角嶋 邦之、筒井 一生、若林 整

[23p-E205-15] BiSb/NiO/Co接合におけるスピンホール角のNiO膜厚依存性
〇TRAN NGOCVINH、高橋 茂樹、平山 義幸、ファム ナムハイ

[24p-E202-11] Nanosecond ultralow power spin orbit torque magnetization switching induced by BiSb topological insulator
〇Nguyen HuynhDuy Khang、Takanori Shirokura、Tuo Fan、Mao Takahashi、Naoki Nakatani、Daisuke Kato、Yasuyoshi Miyamoto、Pham Nam Hai

過去ニュース

クイックアクセス