Pham Nam Hai Research Group

PASPS-24で発表

2019年12月17日 11:12 PM

M1の中野君が東北大学で開催された第24回半導体スピン工学の基礎と応用(PASPS-24)において、下記の発表を行いました。

[P-6] Soichiro Nakano, Kenichiro Yao, Pham Nam Hai. “Improved thermal stability of BiSb topological insulator for embedded MRAM”

応用物理学会応用電子物性分科会研究例会 -スピントロニクスの最前線-で招待講演

2019年12月16日 8:31 PM

Pham准教授は応用物理学会応用電子物性分科会研究例会 -スピントロニクスの最前線-（2019年12月16日）で招待講演を行いました。

(招待講演) Pham Nam Hai : “トポロジカル絶縁体スピントロニクス”

論文掲載：室温無磁場で基底状態のスキルミオンの発生に成功

2019年12月14日 1:06 AM

室温無磁場で基底状態のスキルミオンの発生に成功した研究成果はAIP Advances誌に掲載されました。

Nguyen Huynh Duy Khang, Tuo Fan, and Pham Nam Hai,　”Zero-field topological Hall effect as evidence of ground-state skyrmions at room temperature in BiSb/MnGa bilayers”, AIP Advances 9, 125309 (2019)

スキルミオンは空間対称性が破れたバルク磁性体や磁性体/非磁性体界面において発生しうるトポロジカル磁気渦で、サイズが小さいこと微小電流で移動できるため、次世代の不揮発性メモリやBrownian計算機などに利用できると期待されています。しかし、今間ではスキルミオンを発生させるために、磁場をかけたり、外部の刺激によって準安定状態にあげたりする必要がありました。今回の研究では磁性体に垂直磁化膜のMnGa,非磁性体にBiSbトポロジカル絶縁体を使うことで、室温かつ磁場無で、安定なスキルミオンの形成に成功しました。実験では、スキルミオン特有なトポロジカルホール効果を使って検出しました。また、マイクロマグネティックシミュレーションでスキルミオにのサイズが55~80 nmと見積もられて、実験で観測したトポロジカルホール効果を十分説明できることが分かりました。

スキルミオンのエネルギー。S = 0は強磁性状態、S = 1はスキルミオン状態を表す。(a)準安定のスキルミオン（従来）、(b)安定状態（基底状態）のスキルミオン（本研究）。

ICAMD 2019国際学会で招待講演

2019年12月13日 1:44 PM

Pham准教授と共同研究者の田中雅明教授が韓国で開催された国際学会The 11th International Conference on Advanced Materials and Devices (ICAMD 2019), Dec. 10~13, Jeju, Koreaで下記の招待講演を行いました。

[SA-IN19-006] (Invited) Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, “Giant spin Hall effect in topological insulalor”

[SA-IN19-007] (Invited) Masaaki Tanaka, Le Duc Anh, Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, “New Fe-doped III-V ferromagnetic semiconductors and their heterostructures”