Pham Nam Hai Research Group

Pham准教授は韓国ソウルで開催された11th International Conference on Magnetic and Superconducting Materials (MSM19)に下記の招待講演を行いました。

[M-1018] Giant Spin-orbit torque Generated by BiSb Topological Insulator for MRAM Applications
Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, Takanori Shirokura, Kenichiro Yao

Pham准教授および共同研究者の田中雅明教授（東大）がSan Diegoで開催されたSPIE Spintronics XII国際学会において下記の招待講演を行った。

[11090-57] Origin of the giant spin-orbit-torque generated by BiSb topological insulator (Invited Paper)
Pham Nam Hai, Takanori Shirokura, Kenichiro Yao

[11090-25] Fe-doped III-V ferromagnetic semiconductors and heterostructures (Invited Paper)
Masaaki Tanaka, Le Duc Anh, Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai

Pham准教授はInternational Workshop on New Trends in Topological Insulators 2019 & Variety and Universality of Bulk-edge Correspondence in Topological Phases (NTTI2019 and BEC 2019)国際ワークショップで下記の招待講演を発表しました。

[IP-13] Giant spin-orbit torque generated by BiSb topological insulator for high-performance spintronic devices

Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, Takanori Shirokura, Kenichiro Yao, Yugo Ueda

東京大学と共同研究で、室温強磁性半導体(Ga,Fe)SbのXMCDと共鳴光電子分光に関する研究成果がPhys. Rev. B誌に掲載されました。

S. Sakamoto, N. T. Tu, Y. Takeda, S. Fujimori, P. N. Hai, L. D. Anh, Y. K. Wakabayashi, G. Shibata, M. Horio, K. Ikeda, Y. Saitoh, H. Yamagami, M. Tanaka, and A. Fujimori, “Electronic structure of the high-TC ferromagnetic semiconductor (Ga,Fe)Sb: X-ray magnetic circular dichroism and resonance photoemission spectroscopy studies”, Phys. Rev. B 100, 035204 (2019).

Pham准教授が2019ドイツ・イノベーション・アワードを受賞しました。

本賞は、日独間の産学連携を促進することと優れた日本の若手研究者の支援を目的として、技術革新を重視するドイツ企業により創設されました。Pham准教授はトポロジカル絶縁体における巨大なスピンホール効果と超低消費電力磁気抵抗メモリへの応用の研究業績が評価され、Digitalization and Mobility部門を受賞しました。

ドイツ・イノベーション・アワード「ゴットフリード・ワグネル賞2019」の授賞式（© 2019 AHK Japan）

プレスリリス：ファム・ナム・ハイ准教授がドイツ・イノベーション・アワード「ゴットフリード・ワグネル賞2019」を受賞

Press release: Assoc. Prof. Pham Nam Hai awarded German Innovation Award “Gottfried Wagener Prize 2019”

博士課程のKhang君が米国シカゴで開催中のSpintech X国際学会で下記の発表を行いました。

Observation of topological Hall effect and field-free stable skyrmions in MnGa/BiSb bi-layers at room temperature.

Nguyen Huynh Duy Khang, Tuo Fan, Pham Nam Hai

米国University of Illinois Urbana-ChampaignからTOBAH MUSTAFA 君が海外交流学生として研究室に滞在して、研究を開始しました。

ハノイで開催されたVIETNAM-JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY SYMPOSIUM 2019 (VJST2019) にPham准教授が基調講演を行いました。

G1-1-K-098

(Keynote) SPIN HALL EFFECT IN TOPOLOGICAL INSULATORS: FROM FUNDAMENTAL RESEARCHES TO SPINTRONIC DEVICE APPLICATIONS

Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang,  Takanori Shirokura, Kenichiro Yao , Yugo Ueda

また、共同研究者のアィン氏が下記の招待講演を行いました。

G1-2-I-099

FE-BASED NARROW-GAP FERROMAGNETIC SEMICONDUCTORS: NEW APPROACH TO SPIN-BASED ELECTRONICS

Le Duc Anh, Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Masaaki Tanaka

博士課程のHiep君(OB)のSi系ナノサイズのスピンバルブの世界記録を更新した研究成果がIOP PublishingのAdv. Nat. Sci.: Nanosci. Nanotechnol. 誌に掲載されました。

Duong Dinh Hiep, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai, “Lateral silicon spin-valve devices with large spin-dependent magnetoresistance and output voltage”, Adv. Nat. Sci: Nanosci. Nanotechnol. 10, 025001 (2019).

今回の研究では、Si系ナノサイズのスピンバルブ構造において、MgOトンネル障壁の膜厚の最適化およびFe/MgO界面にMg層を挿入することで、スピンバルブ比-3.6%およびスピン依存出力電圧25mVを達成した。いずれの値も世界記録を更新しました。

(a)最適化したSiナノスケールスピンバルブ構造、(b)達成した世界最高のスピンバルブ比。

D4のHiep君、M2の八尾君、西嶋君、山根君とB4の中野君と高橋君が無事に卒業しました。

おめでとうございます！

皆さんの今後の活躍を期待します。