人工知能に向けた不揮発性メモリ・スピントロニクスデバイスと材料
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M2の長南君がSSDM2019国際学会で下記の発表を行いました。
[E-5-04] Large magnetoresistance and spin-dependent output voltage in a lateral MnGa/GaAs/MnGa spin-valve device K. Chonan, N.H.D. Khang, M. Tanaka, P.N. Hai
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