北海道大学で開催された第80回応用物理学会秋季学術講演会において、Pham准教授が招待講演と一般講演、D3のKhang君とD1の脱凡君が一般講演を行いました。また、共同研究者の東京大学のAnh氏も招待講演を行いました。

[招待講演][19p-N302-9] BiSbトポロジカル絶縁体を用いる超高性能純スピン流源
ファム ナムハイ, ゲィン フンユィカン, 白倉 孝典, 八尾 健一郎

[招待講演][19p-N302-2] ｎ型およびｐ型Fe系強磁性半導体 ー 高いキュリー温度の実現とヘテロ構造デバイスへの展開
Anh Le Duc, Nguyen Thanh Tu, 瀧口 耕介, ファム ナムハイ, 田中 雅明

[20a-E216-13] Proposal of an eXtremely simple MRAM (X-MRAM) using magnon emission/absorption and spin-disorder scattering for readout
Namhai Pham, Huynh Duy Khang Nguyen, Takanori Shirokura

[18p-PB1-84] Room-temperature spin-orbit torque magnetization switching induced by non-epitaxial BiSb topological insulator
Huynh Duy Khang Nguyen, Yasuyoshi Miyamoto, Namhai Pham

[18p-E216-7] Crystal Growth and Evaluation of BiSb Topological Insulator by Sputter Deposition
Fan Tuo, Mustafa Tobah, Takanori Shirokura, Nguyen Huynh Duy Khang, Pham Nam Hai