Pham Nam Hai Research Group

国際学会SSDM2022でOBの佐々木氏が下記の発表を行いました。本研究成果はサムスン日本研究所との共同研究の成果です。

[C-10-06] Julian Sasaki, Shigeki Takahashi, Yoshiyuki Hirayama, Pham Nam Hai. “Highly Efficient Spin Current Source Using BiSb Topological Insulator / NiO Bilayers”

Pham准教授はサムスン電子の華城事業所で開催された1st MRAM Material Symposiumで下記の招待講演を行いました。

“Topological insulator for ultralow power SOT devices “

東北大学で開催される2022年秋季応用物理学会学術講演会で、修士課程の長田君、南波君（サムスン日本研究所との共同研究）、Huy君（Western Digitalとの共同研究）と遠藤君、博士課程の張君と白倉君（キオクシア社との共同研究）、共同研究者の宗田氏が下記の発表を行いした。

[20a-B101-1] Giant inverse spin Hall effect in BiSb topological insulator-based SOT reader
〇(M2)HOANGHUY HO、SASAKI J.、KHANG N. H. D.、NAMHAI Pham、Q. LE、B. YORK、X. LIU、M. GRIBELYUK、X. XU、S. LE、M. HO、H. TAKANO

[20p-B101-9] Fabrication and evaluation of BiSb topological insulator / perpendicular magnetization CoFeB multilayer film for SOT-MRAM application
〇(D)Ruixian Zhang、Shirokura Takanori、Tuo Fan、Pham Nam Hai

[23a-B201-2] Effect of Bi doping on the magnetic properties of (In,Fe)Sb ferromagnetic semiconductor
〇(M2)Yota Endo、Masaaki Tanaka、Pham NamHai

[23a-B201-7] Efficient spin current source using a half-Heusler alloy topological semimetal with Back-End-of-Line compatibility
〇Takanori Shirokura、Tuo Fan、Nguyen Huynh Duy Khang、Pham Nam Hai

[23a-B201-9] BiSbトポロジカル絶縁体/NiO/Co接合におけるNiO障壁高さの評価
〇南波 章太、高橋 茂樹、平山 義幸、ファム ナムハイ

[23a-B201-11] Signatures of two-dimensional topological insulator phase in BiSb ultrathin films
〇Yuki Osada、Takanori Shirokura、Nam Hai Pham

[23p-B203-2] 強磁性を示す二次元多結晶層状物質MoS2における非対称線形磁気抵抗
〇宗田 伊理也、白倉 孝典、ファム ナムハイ、角嶋 邦之、筒井 一生、若林 整

Pham准教授はVJSE 2022で下記の招待講演を行いました。

Pham准教授がNanyang Technological University (Singapore)のEmerging Memory and Computer セミナーシリーズで、下記の講演を行いました。

“Topological Materials with Giant Spin Hall Effect and Their Applications to Magnetic Memories”

Western Digital社の共同研究者のBrian York氏と修士課程のHuy君がTMRC2022国際学会で下記の発表を行いました。

PA1. B. York, P. Hai, Q. Le, C. Hwang, S. Okamura, M. Gribelyuk, X. Xu, K. Nguyen, H. Ho, J. Sasaki, X. Liu, S. Le, M. Ho, H. Takano. “High Spin Hall Angle doped Topological Insulators BiSbX using novel high resistive growth and migration barrier layers”.

PA2. H. H. Huy, J. Sasaki, N. H. D. Khang, S. Namba, P. N. Hai, Q. Le, B. York, C. Hwang, X. Liu, M. Gribelyuk, X. Xu, S. Le, R. Nagabhirava, M. Ho and H. Takano. “Large spin Hall angle in sputtered BiSb topological insulator on top of various ferromagnets with in-plane magnetization for SOT reader application”

Pham准教授が国際学会APPC15で招待講演を行いました。

N1.01  Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, Tuo Fan, Takanori Shirokura, Yasuyoshi Miyamoto, “Giant spin dependent transport phenomena in topological insulator – ferromagnet multilayers”

また、元研究員のKhang氏が一般公演を行いました。

M1.04 Nguyen Huynh Duy Khang, Pham Nam Hai, “Field-free detection of in-plane magnetization switching induced by spin-orbit torque in topological insulator / ferromagnet heterostructure”

8月9日に東京工業大学大岡山キャンパスでSymposium on Topotronics for the Metaverseを開催しました。