論文掲載:次世代HDD用磁気センサーに向けた新技術
次世代HDD用磁気センサーに向けた新技術「SOT磁気センサー」を実現するためのBiSbトポロジカル絶縁体/面内磁化膜における巨大なスピンホール効果に関する研究成果はIEEE Transactions on Magneticsに早期アクセスとして掲載されました。本成果はHDD大手メーカーのWestern Digital Inc.社との共同研究の成果です。
論文掲載:MoS2における磁気抵抗効果
MoS2における磁気抵抗効果の研究成果がScientific Reports誌に掲載されました。本論文は若林研究室の宗田伊理也氏との共同研究の成果です。
サムスン電子のシンポジウムで招待講演
Pham准教授はサムスン電子の華城事業所で開催された1st MRAM Material Symposiumで下記の招待講演を行いました。
“Topological insulator for ultralow power SOT devices “
2022年秋季応用物理学会学術講演会で発表
東北大学で開催される2022年秋季応用物理学会学術講演会で、修士課程の長田君、南波君(サムスン日本研究所との共同研究)、Huy君(Western Digitalとの共同研究)と遠藤君、博士課程の張君と白倉君(キオクシア社との共同研究)、共同研究者の宗田氏が下記の発表を行いした。
[20a-B101-1] Giant inverse spin Hall effect in BiSb topological insulator-based SOT reader
〇(M2)HOANGHUY HO、SASAKI J.、KHANG N. H. D.、NAMHAI Pham、Q. LE、B. YORK、X. LIU、M. GRIBELYUK、X. XU、S. LE、M. HO、H. TAKANO
[20p-B101-9] Fabrication and evaluation of BiSb topological insulator / perpendicular magnetization CoFeB multilayer film for SOT-MRAM application
〇(D)Ruixian Zhang、Shirokura Takanori、Tuo Fan、Pham Nam Hai
[23a-B201-2] Effect of Bi doping on the magnetic properties of (In,Fe)Sb ferromagnetic semiconductor
〇(M2)Yota Endo、Masaaki Tanaka、Pham NamHai
[23a-B201-7] Efficient spin current source using a half-Heusler alloy topological semimetal with Back-End-of-Line compatibility
〇Takanori Shirokura、Tuo Fan、Nguyen Huynh Duy Khang、Pham Nam Hai
[23a-B201-9] BiSbトポロジカル絶縁体/NiO/Co接合におけるNiO障壁高さの評価
〇南波 章太、高橋 茂樹、平山 義幸、ファム ナムハイ
[23a-B201-11] Signatures of two-dimensional topological insulator phase in BiSb ultrathin films
〇Yuki Osada、Takanori Shirokura、Nam Hai Pham
[23p-B203-2] 強磁性を示す二次元多結晶層状物質MoS2における非対称線形磁気抵抗
〇宗田 伊理也、白倉 孝典、ファム ナムハイ、角嶋 邦之、筒井 一生、若林 整
Nanyang Technological Universityのオンラインセミナーで講演
Pham准教授がNanyang Technological University (Singapore)のEmerging Memory and Computer セミナーシリーズで、下記の講演を行いました。
“Topological Materials with Giant Spin Hall Effect and Their Applications to Magnetic Memories”
TMRC2022国際学会で発表
国際学会APPC15での招待講演
Pham准教授が国際学会APPC15で招待講演を行いました。
また、元研究員のKhang氏が一般公演を行いました。