Pham准教授は物質・材料研究機構、磁性・スピントロニクス材料研究拠点で下記の招待講演を行いました。
“スピンホール効果を用いた読み取り磁気ヘッド素子の基礎と応用”
最新ニュース
-
SPIE Spintronics XVIIIで招待講演
ファム教授はSPIE Spintronics XV…
-
TMRC2025国際学会で発表
D4のZhang君が磁気記録の国際学会TMRC20…
-
ファム教授がScience Tokyo Gap Fund研究者ピッチ２０２５のAudience Awardを受賞
ファム教授はScience Tokyo Gap F…
-
論文掲載・プレスリリース：強磁性半導体の世界最高のキュリー温度を実現
強磁性半導体(Ga,Fe)Sbにおいて、世界最高の…