国際学会TMRC2023で招待講演

ミネソタ大学で開催された国際学会TMRC2023に共同研究者のB. York氏(Western Digital社、現Pham研特別研究員)が下記の招待講演を行いました。

[B6] (Invited) B.R. York, Q. Le, X. Liu, S. Okamura, C. Hwang, M.A. Gribelyuk, S. Le, J. Liu, R. Simmons, M. Maeda, F. Tuo, Y. Tao, J. Ohno, H. Takano, P.N. Hai, H. H. Huy, S. Namba, “High Thermal Reliability and High Spin Hall Angle Observed in SOT-Reader Thin Films Using BiSbX Topological Insulators”.

研究室の新しいメンバー:特別研究員2名

特別研究員2名(Brian York氏とCherngye Hwang氏)が研究室に参加しました。

両氏とも、元IBM/Hitachi Global Storage Technology/Western Digitalの元ベテラン社員です。

今後にPham研で開発した技術を様々な製品応用に向けて研究を支援していただきます。

論文掲載:高温領域(>120℃)におけるBiSbトポロジカル絶縁体のスピンホール効果

高温領域(>120℃)におけるBiSbトポロジカル絶縁体のスピンホール効果を評価した研究成果がApplied Physics Letters誌に掲載されました。

Takanori Shirokura, Pham Nam Hai, “High temperature spin Hall effect in topological insulator”, Appl. Phys. Lett. 122, 232404 (2023).

自動車や人工衛星など、過酷な環境に使える不揮発性メモリを実現するためには、高温領域(>120℃)において、動作できることが求められます。今回の研究では、BiSbトポロジカル絶縁体のスピンホール効果を125℃までの高温領域で評価を行いしました。その結果、125℃の高温でもBiSbが巨大なスピンホール効果を維持し、過酷な環境に使える不揮発性メモリSOT-MRAMに応用できることを示しました。また、スピンホール効果の温度依存性から、巨大なスピンホール効果の起源がバルクではなく、表面状態によるものであることを明らかにしました。

国際学会Intermag2023で発表

仙台国際センターで開催中の国際学会Intermag2023で特任助教の白倉氏、D2の張君とD1のHuy君(サムスンとの共同研究)、共同研究者の宗田氏が下記の発表を行いました。

[AOB-08] Zhang Ruixian, Takanori Shirokura, Tuo Fan, Pham Nam Hai. “Fabrication and evaluation of fully sputtered topological insulator/perpendicularly magnetized CoFeB/MgO multilayers for SOT-MRAM application”

[AOC-02] Takanori Shirokura, Pham Nam Hai. “Generalized angle resolved second harmonic method for precise evaluation of spin orbit torque in strong perpendicular magnetic anisotropy system”

[OOB-02] Ho Hoang Huy, Zhang Ruixian, Takanori Shirokura, Shigeki Takahashi, Yoshiyuki Hirayama, Pham Nam Hai. “Integration of BiSb topological insulator and CoFeB/MgO with perpendicular magnetic anisotropy using an oxide interfacial layer for ultralow power spin-orbit torque magnetic memory”

[COC-03] Iriya Muneta, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. “Ferromagnetism modulation by ultralow current in a two-dimensional polycrystalline molybdenum disulfide atomic layered structure”

Top 100 in Physics – 2022に選出

OBのTuo Fan氏下記の論文がScientific Reports誌のTop 100 in Physics – 2022 (Rank 13th/100)に選出されました。おめでとうございます!

Tuo Fan, Nguyen Huynh Duy Khang, Soichiro Nakano, Pham Nam Hai, “Ultrahigh efficient spin orbit torque magnetization switching in fully sputtered topological insulator and ferromagnet multilayers”, Scientific Reports 12, 2998 (2022).

『スピントロニクスハンドブック』の発刊

Pham准教授がスピンホール効果材料としてのトポロジカル絶縁体について担当執筆した『スピントロニクスハンドブック』が発刊されました。この本は日本全国のスピントロニクス研究者が最先端の研究についてまとめたハンドブックです。初心者の勉強に最適です。Pham研に1冊があるので、貸し出しができます。

https://www.nts-book.com/978-4-86043-842-5/

 

スピントロニクスハンドブック

発刊日:2023年5月23日

定 価:77,000円(税込)

頁 数:760ページ

2023年の新メンバー

新しいM1の齋藤君、B4の江尻君、B4の李君が研究室に参加しました。また、加々美君がM1に進学しました。皆さんのご活躍を期待します!

2022年度の優秀修士論文賞を受賞!

Ho Hoang Huy君(9月卒業)の修士論文「Optimization of spin Hall angle and inverse spin Hall angle in top BiSb/ferromagnet with in-plane magnetization」が2022年度の優秀修士論文賞を受賞しました。2023年3月27日の卒業式に表彰されました。おめでとうございます!

2022年度の卒業式

M2のHuy君(9月卒業)、遠藤君、Tran君、B4の加々美君と有川君が無事に卒業しました。おめでとうございます!

応用物理学会講演奨励賞の記念講演

上智大学で開催された第70回応用物理学会春季学術講演会で特任助教の白倉さんは応用物理学会講演奨励賞の記念講演を行いました。

[16p-D704-7] [第53回講演奨励賞受賞記念講演] ハーフホイスラー型トポロジカル半金属を用いた配線工程耐性を有する超高効率純スピン流源の開発
〇白倉 孝典、脱 凡、グエン フン ユイ カン、ファム ナム ハイ


応用物理学会会長の平本 俊郎先生から賞状を受け取った写真

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