高温領域（>120℃）におけるBiSbトポロジカル絶縁体のスピンホール効果を評価した研究成果がApplied Physics Letters誌に掲載されました。

Takanori Shirokura, Pham Nam Hai, “High temperature spin Hall effect in topological insulator”, Appl. Phys. Lett. 122, 232404 (2023).

自動車や人工衛星など、過酷な環境に使える不揮発性メモリを実現するためには、高温領域(>120℃)において、動作できることが求められます。今回の研究では、BiSbトポロジカル絶縁体のスピンホール効果を125℃までの高温領域で評価を行いしました。その結果、125℃の高温でもBiSbが巨大なスピンホール効果を維持し、過酷な環境に使える不揮発性メモリSOT-MRAMに応用できることを示しました。また、スピンホール効果の温度依存性から、巨大なスピンホール効果の起源がバルクではなく、表面状態によるものであることを明らかにしました。