SiにドープしたMn原子のd軌道間光学遷移を利用した可視光Si発光素子の研究成果がPhys. Rev. B誌に掲載されました。

Pham Nam Hai, Daiki Maruo, Le Duc Anh, and Masaaki Tanaka, “Visible-light emission at room temperature in Mn-doped Si light-emitting diodes”,  Phys. Rev. B 93, 094423 (2016).

本研究は、3d遷移金属のd-d光学遷移を利用したSi発光素子としては世界初です。III-V族半導体を使わず、Siそのままを利用するため、Si発光素子の新しいメカニズムとして期待できます。

Si:Mn発光素子の(a)白黒高感度カメラ(b)可視光カメラによって撮影した発光様子、(c)発光スペクトル。E₁とE₂はMnのp-d混成軌道間の光学遷移に対応している。