強的秩序とその操作に関わる研究グループ 第9回 研究会 ー夏の学校ーで招待講演

Pham准教授は強的秩序とその操作に関わる研究グループ 第9回 研究会 ー夏の学校ーで招待講演を行いました。

「トポロジカル絶縁体・磁性体接合におけるスピンホール関連現象」
Pham Nam Hai

論文掲載:室温強磁性半導体(In,Fe)Sbの高性能化

室温強磁性半導体(In,Fe)Sbの高キュリー温度化(世界最高の最385 Kを達成)と磁気異方性の向上に関する研究成果がAppl. Phys. Express誌に掲載されました。本研究は東京大学との共同研究です。

Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh, Masaaki Tanaka, “Heavily Fe-doped ferromagnetic semiconductor (In,Fe)Sb with high Curie temperature and large magnetic anisotropy”, Appl. Phys. Express 12, 103004 (2019).

(a)Fe 35%添加したInSb半導体におけるキュリー温度の同定(アロットプロット)。キュリー温度が385 Kに達したことが分かる。(b)キュリー温度温度のFe濃度依存性。

SSDM2019国際学会で発表

M2の長南君がSSDM2019国際学会で下記の発表を行いました。

[E-5-04] Large magnetoresistance and spin-dependent output voltage in a lateral MnGa/GaAs/MnGa spin-valve device
K. Chonan, N.H.D. Khang, M. Tanaka, P.N. Hai

国際学会MSM19で招待講演

Pham准教授は韓国ソウルで開催された11th International Conference on Magnetic and Superconducting Materials (MSM19)に下記の招待講演を行いました。

[M-1018] Giant Spin-orbit torque Generated by BiSb Topological Insulator for MRAM Applications
Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, Takanori Shirokura, Kenichiro Yao

国際学会SPIE Spintronics XIIで招待講演

Pham准教授および共同研究者の田中雅明教授(東大)がSan Diegoで開催されたSPIE Spintronics XII国際学会において下記の招待講演を行った。

[11090-57] Origin of the giant spin-orbit-torque generated by BiSb topological insulator (Invited Paper)
Pham Nam Hai, Takanori Shirokura, Kenichiro Yao

[11090-25] Fe-doped III-V ferromagnetic semiconductors and heterostructures (Invited Paper)
Masaaki Tanaka, Le Duc Anh, Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai

NTTI2019 & BEC 2019国際ワークショップで招待講演

Pham准教授はInternational Workshop on New Trends in Topological Insulators 2019 & Variety and Universality of Bulk-edge Correspondence in Topological Phases (NTTI2019 and BEC 2019)国際ワークショップで下記の招待講演を発表しました。

[IP-13] Giant spin-orbit torque generated by BiSb topological insulator for high-performance spintronic devices

Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, Takanori Shirokura, Kenichiro Yao, Yugo Ueda

論文掲載:室温強磁性半導体(Ga,Fe)SbのXMCDと共鳴光電子分光

東京大学と共同研究で、室温強磁性半導体(Ga,Fe)SbのXMCDと共鳴光電子分光に関する研究成果がPhys. Rev. B誌に掲載されました。

S. Sakamoto, N. T. Tu, Y. Takeda, S. Fujimori, P. N. Hai, L. D. Anh, Y. K. Wakabayashi, G. Shibata, M. Horio, K. Ikeda, Y. Saitoh, H. Yamagami, M. Tanaka, and A. Fujimori, “Electronic structure of the high-TC ferromagnetic semiconductor (Ga,Fe)Sb: X-ray magnetic circular dichroism and resonance photoemission spectroscopy studies”, Phys. Rev. B 100, 035204 (2019).

ドイツ・イノベーション・アワードを受賞

Pham准教授が2019ドイツ・イノベーション・アワードを受賞しました。

本賞は、日独間の産学連携を促進することと優れた日本の若手研究者の支援を目的として、技術革新を重視するドイツ企業により創設されました。Pham准教授はトポロジカル絶縁体における巨大なスピンホール効果と超低消費電力磁気抵抗メモリへの応用の研究業績が評価され、Digitalization and Mobility部門を受賞しました。

ドイツ・イノベーション・アワード「ゴットフリード・ワグネル賞2019」の授賞式(© 2019 AHK Japan)

プレスリリス:ファム・ナム・ハイ准教授がドイツ・イノベーション・アワード「ゴットフリード・ワグネル賞2019」を受賞

Press release: Assoc. Prof. Pham Nam Hai awarded German Innovation Award “Gottfried Wagener Prize 2019”

Spintech X国際学会で発表

博士課程のKhang君が米国シカゴで開催中のSpintech X国際学会で下記の発表を行いました。

Observation of topological Hall effect and field-free stable skyrmions in MnGa/BiSb bi-layers at room temperature.

Nguyen Huynh Duy Khang, Tuo Fan, Pham Nam Hai

新しいメンバー

米国University of Illinois Urbana-ChampaignからTOBAH MUSTAFA 君が海外交流学生として研究室に滞在して、研究を開始しました。

過去ニュース

クイックアクセス