VANJ Conference 2023国際学会で招待講演
Pham准教授がVANJ Conference 2023国際学会で下記の招待講演を行いました。
[S1-3] (Invited) Topological materials for advanced spintronic devices
OPJ2023で発表
トポロジカル量子ビットに関するセミナーのご案内(11月24日(金)の13H30から)
Microsoft社や欧米の研究機関で活発に開発を進めているノイズ耐性があるトポロジカル量子ビットに関するセミナーをご案内します。
時間:11月24日(金)の13H30~
場所:南3号館第1会議室(S3-201号室)
講師:Dr. Tobias Schmitt (Forschungszentrum Jülich)
Title:
Versatility of selective area growth and stencil lithography for topological insulator-superconductor hybrid devices
Abstract:
As a potential platform to realize elusive topological superconductivity, hybrid devices of topological insulators (TIs) and conventional s-wave superconductors (S) form an attractive field of research. However, the fabrication of pristine hybrid devices with transparent S-TI interfaces is often hampered by degradation at ambient conditions. As a possible solution to this challenge, a novel technique combining selective area growth and stencil lithography to fabricate these devices under ultra-high vacuum (UHV) conditions has recently been reported. In my talk, I will showcase the versatility of this UHV fabrication technique for the implementation of several S-TI hybrid devices, ranging from Josephson junctions to superconducting hybrid qubits, and discuss their characterization.
論文掲載:BiSb/酸化物中間層/CoFeB/MgOにおける垂直磁気異方性とSOT磁化反転の実現
BiSb/酸化物中間層/CoFeB/MgOの構造において、垂直磁気異方性と高効率のSOT磁化反転を実現した論文がIEEE Transactions on Magneticsに掲載されました。本論文は日本サムスンとの共同研究の成果です。
絶縁体の中間層を用いることで、(1) Sbの拡散防止、(2)磁性層へのシャント電流の防止などのメリットがあります。本研究では、CoFeB/MgOに対して、1 nm CrOxが有効な絶縁体の中間層を見だしました。
第84回秋季応用物理学会学術講演会で発表
JST A-Step(育成型)の提案が採択された
私たちの提案である「3次元磁性細線メモリ」はJST-A Step(育成型)に採択されました。
JST A-Step(育成型)とは、大学や公的研究機関などにおける新規性・優位性のある基礎研究成果(技術シーズ)について「学」と「産」のマッチングを行い、企業との共同研究につなげるまで磨き上げ、共同研究体制の構築を目指すものです。
3次元磁性細線メモリは、隣あう磁区間の磁壁を移動させることにより、磁区(ビット)を空間的に移動させ、一つのリーダーとライター素子で100~1000ビットを読み出しと書き込みができるため、現在普及している3次元NANDフラッシュメモリを凌駕する次世代メモリである。本提案はPham研究室が独自に提案し、特許出願した3次元磁性細線メモリの構造と要素技術、具体的には、(1)ALD/CVDによる縦穴に3次元磁性細線メモリの成膜技術、(2)磁性細線の凸凹など、特殊な形状を必要としない独自なビットシフトエラー抑制技術、(3)スピン軌道トルクによる超高速磁壁駆動技術からなる。
国際学会SSDM2023で発表
国際学会賞SSDM Young Researcher Awardを受賞!
OBの佐々木 樹里行氏が2022年のSSDM国際学会で発表した研究発表について、SSDM Young Researcher Awardを受賞しました。2023年のSSDM国際学会で受賞式が行われます。おめでとうございます!なお、佐々木 樹里行氏は修士優秀論文賞および修士課程修了者の代表にも選べられました。
国際学会IWAMD2023で招待講演
ベトナムのThai Nguyen大学で開催される国際学会The 4th International Workshop on Advanced Materials and Devices 2023(IWAMD 2023)で特任助教の白倉孝典氏が下記の招待講演を行いました。
(Invited) Takanori Shirokura, Pham Nam Hai, “Giant spin Hall effect in back-end-of-line compatible topological semimetal YPtBi”.