Pham Nam Hai Research Group

Pham准教授が国際シンポジウムEU-Japan Workshop on Spintronics and Quantum Transformation (Spin-QX 2023)で下記の招待講演を行いました。

(Invited) Pham Nam Hai, “Room-temperature spintronics using ferromagnetic semiconductor and topological insulator”.

ミネソタ大学で開催された国際学会TMRC2023に共同研究者のB. York氏（Western Digital社、現Pham研特別研究員）が下記の招待講演を行いました。

[B6] (Invited) B.R. York, Q. Le, X. Liu, S. Okamura, C. Hwang, M.A. Gribelyuk, S. Le, J. Liu, R. Simmons, M. Maeda, F. Tuo, Y. Tao, J. Ohno, H. Takano, P.N. Hai, H. H. Huy, S. Namba, “High Thermal Reliability and High Spin Hall Angle Observed in SOT-Reader Thin Films Using BiSbX Topological Insulators”.

特別研究員2名（Brian York氏とCherngye Hwang氏）が研究室に参加しました。

両氏とも、元IBM/Hitachi Global Storage Technology/Western Digitalの元ベテラン社員です。

今後にPham研で開発した技術を様々な製品応用に向けて研究を支援していただきます。

仙台国際センターで開催中の国際学会Intermag2023で特任助教の白倉氏、D2の張君とD1のHuy君（サムスンとの共同研究)、共同研究者の宗田氏が下記の発表を行いました。

[AOB-08] Zhang Ruixian, Takanori Shirokura, Tuo Fan, Pham Nam Hai. “Fabrication and evaluation of fully sputtered topological insulator/perpendicularly magnetized CoFeB/MgO multilayers for SOT-MRAM application”

[AOC-02] Takanori Shirokura, Pham Nam Hai. “Generalized angle resolved second harmonic method for precise evaluation of spin orbit torque in strong perpendicular magnetic anisotropy system”

[OOB-02] Ho Hoang Huy, Zhang Ruixian, Takanori Shirokura, Shigeki Takahashi, Yoshiyuki Hirayama, Pham Nam Hai. “Integration of BiSb topological insulator and CoFeB/MgO with perpendicular magnetic anisotropy using an oxide interfacial layer for ultralow power spin-orbit torque magnetic memory”

[COC-03] Iriya Muneta, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. “Ferromagnetism modulation by ultralow current in a two-dimensional polycrystalline molybdenum disulfide atomic layered structure”

OBのTuo Fan氏の下記の論文がScientific Reports誌のTop 100 in Physics – 2022 (Rank 13th/100)に選出されました。おめでとうございます！

Tuo Fan, Nguyen Huynh Duy Khang, Soichiro Nakano, Pham Nam Hai, “Ultrahigh efficient spin orbit torque magnetization switching in fully sputtered topological insulator and ferromagnet multilayers”, Scientific Reports 12, 2998 (2022).

Pham准教授がスピンホール効果材料としてのトポロジカル絶縁体について担当執筆した『スピントロニクスハンドブック』が発刊されました。この本は日本全国のスピントロニクス研究者が最先端の研究についてまとめたハンドブックです。初心者の勉強に最適です。Pham研に1冊があるので、貸し出しができます。

https://www.nts-book.com/978-4-86043-842-5/

新しいM1の齋藤君、B4の江尻君、B4の李君が研究室に参加しました。また、加々美君がM1に進学しました。皆さんのご活躍を期待します！

Ho Hoang Huy君（９月卒業）の修士論文「Optimization of spin Hall angle and inverse spin Hall angle in top BiSb/ferromagnet with in-plane magnetization」が2022年度の優秀修士論文賞を受賞しました。2023年3月27日の卒業式に表彰されました。おめでとうございます！

M2のHuy君(9月卒業）、遠藤君、Tran君、B4の加々美君と有川君が無事に卒業しました。おめでとうございます！