Pham Nam Hai Research Group

強磁性半導体(InFe)Sbの磁性を電界効果を使って、制御できることを示した研究成果がAppl. Phys. Lett.誌に掲載されました。

Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh, Masaaki Tanaka,”Electrical control of ferromagnetism in the n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)Sb with high Curie temperature”, Appl. Phys. Lett. 112, 122409 (2018)

第６5回応用物理学会春季学術講演会で、博士研究員のTin氏、D3のHiep君、D2のKhang君、B4の白倉君、共同研究者のNguyen氏、小林氏、および坂本氏が下記の発表を行います。

[17p-D104-3] Room-temperature colossal spin Hall effect in topological insulator Bi_0.9Sb_0.1(012) thin films for ultra-low-power spin-orbit-torque switching
〇Nguyen HuynhDuy Khang、Yugo Ueda、Hai Pham Nam

[17p-P10-89] Inverse spin valve effect in nano-scale Si-based spin-valve devices
〇Dinhhiep Duong、Masaaki Tanaka、Nam Hai Pham

[17p-D104-4] Temperature dependence of the colossal spin hall effect in a BiSb(001)/MnAs bi-layer
〇Takanori Shirokura、Kenichiro Yao、Pham Nam Hai

[20a-D104-3] Electrical control of ferromagnetism in the n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)Sb with high Curie temperature
〇Tu Thanh Nguyen、Nam Hai Pham、Duc Anh Le、Masaaki Tanaka

[20a-D104-9] Magneto-thermopower in Ferromagnetic Semiconductor In_1-xFe_xSb
〇CONG TINH BUI、CHRISTINA GARCIA、NGUYEN THANH TU、MASAAKI TANAKA、PHAM NAM HAI

[20a-D104-1] Effect of Be Doping on the Electronic Structure of n-Type Ferromagnetic Semiconductor (In,Fe)As
〇MASAKI KOBAYASHI、HISAO KIUCHI、HIDEHARU NIWA、JUN MIYAWAKI、ATSUSHI FUJIMORI、LE DUC ANH、PHAM NAM HAI、MASAAKI TANAKA、MASAHARU OSHIMA、YOSHIHISA HARADA

[20a-D104-7] Magnetization process of the insulating ferromagnetic semiconductor (Al,Fe)Sb
〇Shoya Sakamoto、Duc Anh Le、Nam Hai Pham、Yukiharu Takeda、Masaki Kobayashi、Ryosho Nakane、Yuki Wakabayashi、Yosuke Nonaka、Keisuke Ikeda、Zhendong Chi、Yuxuan Wan、Masahiro Suzuki、Yuji Saitoh、Hiroshi Yamagami、Masaaki Tanaka、Atsushi Fujimori

(In,Fe)As強磁性半導体のスピン状態とバンド構造を解明した研究成果がApplied Physics Letters誌に掲載されました。

Le Duc Anh, Pham Nam Hai, Masaaki Tanaka, “Electrical tuning of the band alignment and magnetoconductance in an n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As-based spin-Esaki diode”, Appl. Phys. Lett. 112, 102402 (2018).

今回の研究ではn-(In,Fe)As/p-InAsの江崎ダイオード構造において、トンネル分光法を用いて、(In,Fe)As強磁性半導体のスピン状態とバンド構造を解明しました。

さらに、本研究は、トップクラスの論文としてFeatured Articleおよび米国物理協会(American Institute of Physics)のScience Highlightにも選べられ、解説記事が掲載されました。

Science Highlightに選べられたのは3回連続になります。

M2の荒川君、胡君、B4の白倉君、長南君、ＹＳＥＰ海外交流学生のHannah Naomiさんの卒業をお祝いしました。皆さん長い間ご苦労様でした。

D3のHiep君のナノＳｉバルブデバイスにおける逆スピンバルブ効果の観測に関する研究成果がJournal of Applied Physicsに掲載されました。

Duong Dinh Hiep, Masaaki Tanaka and Pham Nam Hai, “Inverse spin-valve effect in nanoscale Si-based spin-valve devices”, J. Appl. Phys. 122, 223904 (2017).

今回の論文はJAP学術誌のトップクラス論文としてFeatured Articleに選べられました。

さらに、米国物理協会(American Institute of Physics)のScience Highlightにも選べられ、解説記事が掲載されました。

ドイツからの海外交流学生Genath Hannah Naomi さんとベトナムからの海外訪問学生の Tran Ngoc Lanさんが研究室に配属しました。皆さんの活躍を期待します。

D1のKhang君の論文が米国物理協会(American Institute of Physics)のScience Highlightに選べられ、解説記事が掲載されました。

D1のKhang君の垂直磁化膜/トポロジカル絶縁体接合の結晶成長に関する研究成果がJournal of Applied Physicsに掲載されました。

Nguyen Huynh Duy Khang, Yugo Ueda, Kenichiro Yao, and Pham Nam Hai, “Growth and characterization of MnGa thin films with perpendicular magnetic anisotropy on BiSb topological insulator”,  J. Appl. Phys. 122, 143903 (2017).

今回の成果は次世代SOT-MRAMに向けた垂直磁化膜とその磁化反転に必要なスピンホール効果の強いBiSbトポロジカル絶縁体の接合の作製に成功しました。

D3のHiep君、D1のKhang君、共同研究者のAnh氏および田中教授がJunjirou Kanamori Memorial International Symposium – New Horizon of Magnetism- (Sep. 27-29 2017)に下記の発表を行いました。

[P71] Tuning of Magnetoconductance by Electrical Control of Band Alignment in a n⁺-(In,Fe)As/p⁺-InAs Esaki Diode
Le Duc Anh, Pham Nam Hai and Masaaki Tanaka

[P82] Inverse spin-valve effect in spin-valve devices with nanoscale Si channels
D. D. Hiep, M. Tanaka, and P. N. Hai

[P83] Magnetic and structural properties of MnGa thin films grown on
Bi_0.8Sb_0.2 topological insulator
N. H. D. Khang, Y. Ueda, and P. N. Hai

[S2] (Invited) Recent progress and topics in semiconductor spintronics and ferromagnetic semiconductors
M. Tanaka, S. Ohya, L.D. Anh, N.T. Tu, I. Muneta, and P.N. Hai

D3のHiep君が国際学会SSDM2017で下記の研究成果を発表しました。

[PS-12-08] Inverse spin-valve effect in MBE-grown nanoscale Si spin-valve devices
D. H. Duong, M. Tanaka, N. H. Pham