(In,Fe)As強磁性半導体のスピン状態とバンド構造を解明した研究成果がApplied Physics Letters誌に掲載されました。

Le Duc Anh, Pham Nam Hai, Masaaki Tanaka, “Electrical tuning of the band alignment and magnetoconductance in an n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As-based spin-Esaki diode”, Appl. Phys. Lett. 112, 102402 (2018).

今回の研究ではn-(In,Fe)As/p-InAsの江崎ダイオード構造において、トンネル分光法を用いて、(In,Fe)As強磁性半導体のスピン状態とバンド構造を解明しました。

さらに、本研究は、トップクラスの論文としてFeatured Articleおよび米国物理協会(American Institute of Physics)のScience Highlightにも選べられ、解説記事が掲載されました。

Science Highlightに選べられたのは3回連続になります。