人工知能に向けた不揮発性メモリ・スピントロニクスデバイスと材料
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D3のHiep君が国際学会SSDM2017で下記の研究成果を発表しました。
[PS-12-08] Inverse spin-valve effect in MBE-grown nanoscale Si spin-valve devices D. H. Duong, M. Tanaka, N. H. Pham
強磁性半導体(Ga,Fe)Sbにおいて、世界最高の…
トポロジカル半金属YPtBiにおけるPtとBi組成…
トポロジカル絶縁体BiSbの(012)高配向および…
Pham教授、博士課程のHu Yifan君、Liu…