人工知能に向けた不揮発性メモリ・スピントロニクスデバイスと材料
Home » 論文 » 論文掲載：垂直磁化膜/トポロジカル絶縁体接合の結晶成長
D1のKhang君の垂直磁化膜/トポロジカル絶縁体接合の結晶成長に関する研究成果がJournal of Applied Physicsに掲載されました。
Nguyen Huynh Duy Khang, Yugo Ueda, Kenichiro Yao, and Pham Nam Hai, “Growth and characterization of MnGa thin films with perpendicular magnetic anisotropy on BiSb topological insulator”, J. Appl. Phys. 122, 143903 (2017).
今回の成果は次世代SOT-MRAMに向けた垂直磁化膜とその磁化反転に必要なスピンホール効果の強いBiSbトポロジカル絶縁体の接合の作製に成功しました。
3次元磁性細線メモリに向けたALD成膜Ptのスピン…
新潟に開催した2024年秋季応用物理学会学術講演会…
島根県松江市に開催された国際学会ICMBE2024…
Pham教授が姫路で開催したSSMD2024国際学…
D1のKhang君の垂直磁化膜/トポロジカル絶縁体接合の結晶成長に関する研究成果がJournal of Applied Physicsに掲載されました。
