Pham Nam Hai Research Group

東京大学と共同でｎ型室温強磁性半導体(In,Fe)Sbの作製に成功した研究成果がApplied Physics Express誌に掲載されました。

Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh, and Masaaki Tanaka, “High-temperature ferromagnetism in new n-type Fe-doped ferromagnetic semiconductor (In,Fe)Sb”, Appl. Phys. Express 11, 063005 (2018).

今回の研究は室温以上のキュリー温度を示すｎ型強磁性半導体を実現できただけでなく、鉄系強磁性半導体のキュリー温度はバンドギャップが小さくなればなるほど高くなる傾向があることを示し、従来の平均場Zenerモデルと対照的であることを明らかにしました。特に、従来の平均場Zenerモデルでは、n型強磁性半導体のキュリー温度が1 Kを超えられないと予測したことから、今回の研究成果の意義が大きい。

新B4の中野君、高橋君、新M1の市村君、曾智君、新研究生の脱凡君が研究室のメンバーとして加わりました。皆さんの活躍を期待します。

博士研究員のTinh氏の(In,Fe)Sb強磁性半導体におけるプレーナーネルンスト効果に関する研究成果がJournal of Applied Physics誌に掲載されました。

Cong Tinh Bui, Christina A. C. Garcia, Nguyen Thanh Tu, Masaaki Tanaka, and Pham Nam Hai, “Planar Nernst effect and Mott relation in (In,Fe)Sb ferromagnetic semiconductor”, J. Appl. Phys. 123, 175102 (2018).

従来の研究では、磁化が面直な磁性体において、磁気電気伝導と磁気熱伝導の間にモット関係が成り立つ事が証明されましたが、磁化が面内の場合、そのモット関係が分かっていませんでした。今回の研究で面内の磁気電気伝導と磁気熱伝導の間にもそのモット関係が成り立つ事を初めて示すことができました。

博士課程のHiep君、Khang君と修士課程の八尾君が国際学会Intermag2018に下記の発表を行いました。

[DC-02]Khang Nguyen, Yugo Ueda, Nam Hai Pham, “Ultra-low-power  spin-orbit-torque switching using the colossal spin Hal effect in BiSb topological insulator”

[DC-03]Kenichiro Yao,  Takanori Shirokura, Nam Hai Pham, “Role of surface states in the generation of the colossal spin Hal effect in BiSb topological insulator”

[HD-06] Hiep Duong, Masaaki Tanaka, Nam Hai Pham, “Large spin-valve effect in Si nano spin-valve devices”

強磁性半導体(InFe)Sbの磁性を電界効果を使って、制御できることを示した研究成果がAppl. Phys. Lett.誌に掲載されました。

Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh, Masaaki Tanaka,”Electrical control of ferromagnetism in the n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)Sb with high Curie temperature”, Appl. Phys. Lett. 112, 122409 (2018)

第６5回応用物理学会春季学術講演会で、博士研究員のTin氏、D3のHiep君、D2のKhang君、B4の白倉君、共同研究者のNguyen氏、小林氏、および坂本氏が下記の発表を行います。

[17p-D104-3] Room-temperature colossal spin Hall effect in topological insulator Bi_0.9Sb_0.1(012) thin films for ultra-low-power spin-orbit-torque switching
〇Nguyen HuynhDuy Khang、Yugo Ueda、Hai Pham Nam

[17p-P10-89] Inverse spin valve effect in nano-scale Si-based spin-valve devices
〇Dinhhiep Duong、Masaaki Tanaka、Nam Hai Pham

[17p-D104-4] Temperature dependence of the colossal spin hall effect in a BiSb(001)/MnAs bi-layer
〇Takanori Shirokura、Kenichiro Yao、Pham Nam Hai

[20a-D104-3] Electrical control of ferromagnetism in the n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)Sb with high Curie temperature
〇Tu Thanh Nguyen、Nam Hai Pham、Duc Anh Le、Masaaki Tanaka

[20a-D104-9] Magneto-thermopower in Ferromagnetic Semiconductor In_1-xFe_xSb
〇CONG TINH BUI、CHRISTINA GARCIA、NGUYEN THANH TU、MASAAKI TANAKA、PHAM NAM HAI

[20a-D104-1] Effect of Be Doping on the Electronic Structure of n-Type Ferromagnetic Semiconductor (In,Fe)As
〇MASAKI KOBAYASHI、HISAO KIUCHI、HIDEHARU NIWA、JUN MIYAWAKI、ATSUSHI FUJIMORI、LE DUC ANH、PHAM NAM HAI、MASAAKI TANAKA、MASAHARU OSHIMA、YOSHIHISA HARADA

[20a-D104-7] Magnetization process of the insulating ferromagnetic semiconductor (Al,Fe)Sb
〇Shoya Sakamoto、Duc Anh Le、Nam Hai Pham、Yukiharu Takeda、Masaki Kobayashi、Ryosho Nakane、Yuki Wakabayashi、Yosuke Nonaka、Keisuke Ikeda、Zhendong Chi、Yuxuan Wan、Masahiro Suzuki、Yuji Saitoh、Hiroshi Yamagami、Masaaki Tanaka、Atsushi Fujimori

(In,Fe)As強磁性半導体のスピン状態とバンド構造を解明した研究成果がApplied Physics Letters誌に掲載されました。

Le Duc Anh, Pham Nam Hai, Masaaki Tanaka, “Electrical tuning of the band alignment and magnetoconductance in an n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As-based spin-Esaki diode”, Appl. Phys. Lett. 112, 102402 (2018).

今回の研究ではn-(In,Fe)As/p-InAsの江崎ダイオード構造において、トンネル分光法を用いて、(In,Fe)As強磁性半導体のスピン状態とバンド構造を解明しました。

さらに、本研究は、トップクラスの論文としてFeatured Articleおよび米国物理協会(American Institute of Physics)のScience Highlightにも選べられ、解説記事が掲載されました。

Science Highlightに選べられたのは3回連続になります。

M2の荒川君、胡君、B4の白倉君、長南君、ＹＳＥＰ海外交流学生のHannah Naomiさんの卒業をお祝いしました。皆さん長い間ご苦労様でした。

D3のHiep君のナノＳｉバルブデバイスにおける逆スピンバルブ効果の観測に関する研究成果がJournal of Applied Physicsに掲載されました。

Duong Dinh Hiep, Masaaki Tanaka and Pham Nam Hai, “Inverse spin-valve effect in nanoscale Si-based spin-valve devices”, J. Appl. Phys. 122, 223904 (2017).

今回の論文はJAP学術誌のトップクラス論文としてFeatured Articleに選べられました。

さらに、米国物理協会(American Institute of Physics)のScience Highlightにも選べられ、解説記事が掲載されました。

ドイツからの海外交流学生Genath Hannah Naomi さんとベトナムからの海外訪問学生の Tran Ngoc Lanさんが研究室に配属しました。皆さんの活躍を期待します。