Pham Nam Hai Research Group

博士3年のKhang君の2018年秋季応物学会学術講演会に発表した「Room-temperature field-free formation of stable skyrmions in BiSb/MnGa bi-layers」の研究がスピントロニクス研究会第10回英語講演奨励賞を受賞しました。本賞は応用物理学会スピントロニクス大分類において英語講演を行っ た学生講演者の中から、各中分類で最も素晴らしい発表をされた学生に送られる賞です。2019年春季応物学会学術講演会に表彰されました。おめでとうございます！

東京工業大学大岡山キャンパスで開催した第66回応用物理学会春季学術講演会でD3のKhang君とHiep君、M2の山根君、M1の長南君、共同研究者のNguyen氏が下記の発表を行いました。

[12a-M101-9] Large Unidirectional Magnetoresistance in GaMnAs/BiSb bilayers
〇Nguyen HuynhDuy Khang、Pham Nam Hai

[12p-M101-7] Heavily Fe-doped n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)Sb with high Curie temperature and large magnetic anisotropy
〇Tu Thanh Nguyen、Nam Hai Pham、Duc Anh Le、Masaaki Tanaka

[12p-M101-11] Large spin-dependent magnetoresistance and output voltage in the nanoscale Si spin-valve devices
〇Dinhhiep Duong、Masaaki Tanaka、Namhai Pham

[12p-M101-12] Fabrication and evaluation of lateral spin-valve devices using MnAs spin injector
〇Keita Yamane、Kenichiro Yao、Masaaki Tanaka、Pham Nam Hai

[12p-M101-13] Large spin-valve effect in a lateral spin-valve device with MnGa electrodes
〇Koki Chonan、Nguyen Huynh Duy Khang、Masaaki Tanaka、Pham Nam Hai

修士2年の西嶋君の修士論文「高感度磁気センサーに向けた Fe δ ドープ(In,Fe)Sb 強磁性半導体の作製と評価」が優秀修士論文賞に内定しました。2019年3月26日の卒業式に表彰される予定です。おめでとうございましす！

修士2年の西嶋君のFeδドープ強磁性半導体(In,Fe)Sbの超高感度異常ホール効果センサーに関する研究成果がJournal of Crystal Growth誌に掲載されました。

Kento Nishijima, Nguyen Thanh Tu, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai, “Fe delta-doped (In,Fe)Sb ferromagnetic semiconductor thin films for magnetic-field sensors with ultrahigh Hall sensitivity”, Journal of Crystal Growth 511, 127-131 (2019).

ホール効果センサーはエアコンや洗濯機などでセンサーとして多用されています。また、最近に３軸のホール効果センサーがスマートフォンなどに掲載されて、ＧＰＳと組み合わせて地図アプリで使われています。今回の研究では、室温強磁性半導体(In,Fe)Sbの「異常ホール効果」を利用した新しいタイプの超高感度異常ホール効果磁気センサーを提案し、その高感度化と高線形化を目指して、Fe元素を局所的に添加するδドーピング法を用いました。その結果、４倍程度の高感度化と高線形化に成功しました。

修士2年の八尾君のトポロジカル絶縁体BiSbのGaAs基板上の結晶成長モードに関する研究成果がJournal of Crystal Growth誌に掲載されました。

Kenichiro Yao, Nguyen Huynh Duy Khang, Pham Nam Hai, “Influence of crystal orientation and surface termination on the growth of BiSb thin films on GaAs substrates”, Journal of Crystal Growth 511, 99-105 (2019).

今回の成果では、GaAs基板の対称性よりも、表面状態の方がBiSbの結晶成長モードに強く影響を与えたことを判明しました。今後のデバイスへの応用で重要な知見が得られました。

Pham准教授が名古屋大学で開催されたInternational School on Spintronics and Korea-Japan Spintronics Workshop – Topological Phenomena in Magnetism -で招待講演を行いました。

Nam Hai Pham (Tokyo Tech.), “Topological insulator for ultralow power SOT-MRAM”

博士課程のHiep君の公聴会無事終了のお祝いおよび新年会を行いました。研究室メンバーの皆さんのさらなる躍進を期待します。

Pham准教授が国際シンポジウムThe 50th Reimei workshop: Universal Physics in Many-Body Quantum Systems — From Atoms to Quarks –にて、招待講演を行いました。

“Giant spin Hall effect in BiSb topological insulator”

Hai Pham (TITech)

CREST領域「トポロジカル材料科学に基づく革新的機能を有する材料・デバイスの創出」のキックオフ会議にPham准教授とM2の八尾君が参加し、研究計画を発表しました。本研究では、産業連携を前提とし、トポロジカル材料を磁気メモリへ応用する研究開発を行います。そのために、分子線エピキタシー法に加えて、量産性に優れたスパッター法によるBiSbの製膜技術および垂直磁気異方性を示す磁性体との接合の作製技術を確立すること、超高速、超低消費電力のスピン軌道トルク磁化反転を実証すること、磁性細線におけるカイラル磁壁・スキルミオンの発生、駆動、検出の基盤技術を実証します。

第23回 半導体におけるスピン工学の基礎と応用（PASPS-23)にて、Pham准教授と共同研究者のNguyen氏が招待講演、共同研究者の小林氏、D3のKhang君、M2の八尾君、西嶋君、M1の長南君が発表を行いました。

[O-6] Unveiling Origin of Ferromagnetism in Fe-Doped Ferromagnetic Semiconductor by Synchrotron Radiation Spectroscopy
M. Kobayashi, L. D. Anh, P. N. Hai, H. Kiuchi, H. Niwa, J. Miyawaki, Y. Harada, T. Schmitt, A. Fujimori, V. N. Strocov, M. Oshima, and M. Tanaka

[O-9] (Invited) Topological insulator for ultra-low power magnetic memories
Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, Kenichiro Yao, Takanori Shirokura

[O-13] Field-free ground-state skyrmions in BiSb/MnGa bi-layers at room temperature revealed by topological Hall effect
N. H. D. Khang, T. Fan and P. N. Hai

[O-15] (Invited) High-temperature ferromagnetism in both p-type and n-type Fe-doped III-V ferromagnetic semiconductors
Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh and Masaaki Tanaka

[O-16] Room-temperature anomalous Hall effect of Fe delta-doped (In,Fe)Sb ferromagnetic semiconductor thin films
K. Nishijima, S. Takahashi, M. Tanaka, and P. N. Hai

[P-4] Origin of the giant spin Hall effect in BiSb topological insulator
K. Yao, T. Shirokura, and P. N. Hai

[P-14] 鉄系強磁性半導体を用いたスピンバイポーラトランジスタの作製と評価
長南 光貴，荒川 雄斗，田中 雅明，ファム ナム ハイ