Pham Nam Hai Research Group

Pham准教授が名古屋大学で開催されたInternational School on Spintronics and Korea-Japan Spintronics Workshop – Topological Phenomena in Magnetism -で招待講演を行いました。

Nam Hai Pham (Tokyo Tech.), “Topological insulator for ultralow power SOT-MRAM”

博士課程のHiep君の公聴会無事終了のお祝いおよび新年会を行いました。研究室メンバーの皆さんのさらなる躍進を期待します。

Pham准教授が国際シンポジウムThe 50th Reimei workshop: Universal Physics in Many-Body Quantum Systems — From Atoms to Quarks –にて、招待講演を行いました。

“Giant spin Hall effect in BiSb topological insulator”

Hai Pham (TITech)

CREST領域「トポロジカル材料科学に基づく革新的機能を有する材料・デバイスの創出」のキックオフ会議にPham准教授とM2の八尾君が参加し、研究計画を発表しました。本研究では、産業連携を前提とし、トポロジカル材料を磁気メモリへ応用する研究開発を行います。そのために、分子線エピキタシー法に加えて、量産性に優れたスパッター法によるBiSbの製膜技術および垂直磁気異方性を示す磁性体との接合の作製技術を確立すること、超高速、超低消費電力のスピン軌道トルク磁化反転を実証すること、磁性細線におけるカイラル磁壁・スキルミオンの発生、駆動、検出の基盤技術を実証します。

第23回 半導体におけるスピン工学の基礎と応用（PASPS-23)にて、Pham准教授と共同研究者のNguyen氏が招待講演、共同研究者の小林氏、D3のKhang君、M2の八尾君、西嶋君、M1の長南君が発表を行いました。

[O-6] Unveiling Origin of Ferromagnetism in Fe-Doped Ferromagnetic Semiconductor by Synchrotron Radiation Spectroscopy
M. Kobayashi, L. D. Anh, P. N. Hai, H. Kiuchi, H. Niwa, J. Miyawaki, Y. Harada, T. Schmitt, A. Fujimori, V. N. Strocov, M. Oshima, and M. Tanaka

[O-9] (Invited) Topological insulator for ultra-low power magnetic memories
Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, Kenichiro Yao, Takanori Shirokura

[O-13] Field-free ground-state skyrmions in BiSb/MnGa bi-layers at room temperature revealed by topological Hall effect
N. H. D. Khang, T. Fan and P. N. Hai

[O-15] (Invited) High-temperature ferromagnetism in both p-type and n-type Fe-doped III-V ferromagnetic semiconductors
Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh and Masaaki Tanaka

[O-16] Room-temperature anomalous Hall effect of Fe delta-doped (In,Fe)Sb ferromagnetic semiconductor thin films
K. Nishijima, S. Takahashi, M. Tanaka, and P. N. Hai

[P-4] Origin of the giant spin Hall effect in BiSb topological insulator
K. Yao, T. Shirokura, and P. N. Hai

[P-14] 鉄系強磁性半導体を用いたスピンバイポーラトランジスタの作製と評価
長南 光貴，荒川 雄斗，田中 雅明，ファム ナム ハイ

Pham准教授が東京大学物性研究所で開催された「スピン軌道強結合伝導系におけるサイエンスの新展開」のISSPワークショップで下記の招待講演を行いました。

Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, 八尾 健一郎, 白倉 孝典
“超高性能純スピン注入源としての BiSb トポロジカル絶縁体”

Pham准教授と共同研究者の田中雅明教授が中国科学院大学(UCAS)のカブリ理論科学研究所(Kavli ITS)で開催されたThe Kavli ITS Workshop on Diluted Magnetic Semiconductors: Challenges and Opportunitiesにて、鉄系強磁性半導体へテロ構造におけるスピン依存伝導特性に関する一連の研究成果について招待講演を行いました。

(Invited) Pham Nam Hai, Kento Nishijima, Tomohiro Ostuka, Nguyen Thanh Tu, Le Duc Anh, Masaaki Tanaka,  “Spin-dependent transport phenomena in Fe-doped ferromagnetic semiconductor-based spin devices”.

(Invited) Masaaki Tanaka, Le Duc Anh, Nguyen Thanh Tu, and Pham Nam Hai, “New n-type and p-type Fe-doped III-V ferromagnetic semiconductors with high T_C “

私たちの提案である「トポロジカル表面状態を用いるスピン軌道トルク磁気メモリの創製」が科学技術振興機構(JST)の戦略的創造研究推進事業のCREST研究領域「トポロジカル材料科学に基づく革新的機能を有する材料・デバイスの創出」に採択されました。

http://www.jst.go.jp/kisoken/crest/application/2018/180918/180918crest.pdf

⇒　研究の概要はこちらをご覧ください

名古屋国際会議場で開催される第79回応用物理学会秋季学術講演会でD2のKhang君、M2の西嶋君、八尾君、M1の長南君が下記の発表を行います。

[20a-131-8] Room-temperature field-free formation of stable skyrmions in BiSb/MnGa bi-layers
〇Nguyen Huynh Duy Khang, Fan Tuo, Hai Pham Nam

[21a-131-5] Crystal Growth of BiSb topological insulator on GaAs(001), (111)A and (111)B substrates
〇Kenichiro Yao, Duy Khang Nguyen Huynh, Masataka Ichimura, Nam Hai Pham

[21a-131-7] Fabrication and evaluation of Fe delta-doped (In,Fe)Sb high sensitivity magnetic sensors
〇Kento Nishijima, Masaaki Tanaka, Nam Hai Pham

[21a-131-8] Spin dependent transport characteristics of spin bipolar transistors based on Fe doped ferromagnetic semiconductors
〇Koki Chonan, Yuto Arakawa, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai

博士課程のKhang君がThe 11th Vietnam-Japan Scientific Exchange Meetingで下記の招待講演を行いました。

Nguyen Huynh Duy Khang, Yugo Ueda, Pham Nam Hai. (Invited) Colossal spin Hall effect in a conductive topological insulator Bi0.9Sb0.1 for ultra-low-power spin-orbit-torque switching