人工知能に向けた不揮発性メモリ・スピントロニクスデバイスと材料
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SSDM2016国際学会で、D2のHiep君が下記の発表を行いました。
[PS-12-03] Spin-valve Effect in Nanoscale Si-based Devices with Ferromagnetic Electrodes ○ D.H. Duong , M. Tanaka, N.H. Pham
強磁性半導体(Ga,Fe)Sbにおいて、世界最高の…
トポロジカル半金属YPtBiにおけるPtとBi組成…
トポロジカル絶縁体BiSbの(012)高配向および…
Pham教授、博士課程のHu Yifan君、Liu…