人工知能に向けた不揮発性メモリ・スピントロニクスデバイスと材料
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Pham准教授がVANJ Conference 2023国際学会で下記の招待講演を行いました。
[S1-3] (Invited) Topological materials for advanced spintronic devices
強磁性半導体(Ga,Fe)Sbにおいて、世界最高の…
トポロジカル半金属YPtBiにおけるPtとBi組成…
トポロジカル絶縁体BiSbの(012)高配向および…
Pham教授、博士課程のHu Yifan君、Liu…