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Category Archives: 招待講演

スピントロニクスの日韓国際スクールとワークショップで招待講演

Pham准教授が名古屋大学で開催されたInternational School on Spintronics and Korea-Japan Spintronics Workshop – Topological Phenomena in Magnetism -で招待講演を行いました。

Nam Hai Pham (Tokyo Tech.), “Topological insulator for ultralow power SOT-MRAM”

国際シンポジウムで招待講演

Pham准教授が国際シンポジウムThe 50th Reimei workshop: Universal Physics in Many-Body Quantum Systems — From Atoms to Quarks –にて、招待講演を行いました。

“Giant spin Hall effect in BiSb topological insulator”

Hai Pham (TITech)

PASPS-23学会の招待講演

第23回 半導体におけるスピン工学の基礎と応用(PASPS-23)にて、Pham准教授と共同研究者のNguyen氏が招待講演、共同研究者の小林氏、D3のKhang君、M2の八尾君、西嶋君、M1の長南君が発表を行いました。

[O-6] Unveiling Origin of Ferromagnetism in Fe-Doped Ferromagnetic Semiconductor by Synchrotron Radiation Spectroscopy
M. Kobayashi, L. D. Anh, P. N. Hai, H. Kiuchi, H. Niwa, J. Miyawaki, Y. Harada, T. Schmitt, A. Fujimori, V. N. Strocov, M. Oshima, and M. Tanaka

[O-9] (Invited) Topological insulator for ultra-low power magnetic memories
Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, Kenichiro Yao, Takanori Shirokura

[O-13] Field-free ground-state skyrmions in BiSb/MnGa bi-layers at room temperature revealed by topological Hall effect
N. H. D. Khang, T. Fan and P. N. Hai

[O-15] (Invited) High-temperature ferromagnetism in both p-type and n-type Fe-doped III-V ferromagnetic semiconductors
Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh and Masaaki Tanaka

[O-16] Room-temperature anomalous Hall effect of Fe delta-doped (In,Fe)Sb ferromagnetic semiconductor thin films
K. Nishijima, S. Takahashi, M. Tanaka, and P. N. Hai

[P-4] Origin of the giant spin Hall effect in BiSb topological insulator
K. Yao, T. Shirokura, and P. N. Hai

[P-14] 鉄系強磁性半導体を用いたスピンバイポーラトランジスタの作製と評価
長南 光貴,荒川 雄斗,田中 雅明,ファム ナム ハイ

ISSPワークショップで招待講演

Pham准教授が東京大学物性研究所で開催された「スピン軌道強結合伝導系におけるサイエンスの新展開」のISSPワークショップで下記の招待講演を行いました。

Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, 八尾 健一郎, 白倉 孝典
“超高性能純スピン注入源としての BiSb トポロジカル絶縁体”

The Kavli ITS Workshopで招待講演

Pham准教授と共同研究者の田中雅明教授が中国科学院大学(UCAS)のカブリ理論科学研究所(Kavli ITS)で開催されたThe Kavli ITS Workshop on Diluted Magnetic Semiconductors: Challenges and Opportunitiesにて、鉄系強磁性半導体へテロ構造におけるスピン依存伝導特性に関する一連の研究成果について招待講演を行いました。

(Invited) Pham Nam Hai, Kento Nishijima, Tomohiro Ostuka, Nguyen Thanh Tu, Le Duc Anh, Masaaki Tanaka,  “Spin-dependent transport phenomena in Fe-doped ferromagnetic semiconductor-based spin devices”.

(Invited) Masaaki Tanaka, Le Duc Anh, Nguyen Thanh Tu, and Pham Nam Hai, “New n-type and p-type Fe-doped III-V ferromagnetic semiconductors with high TC

VJSEで招待講演

博士課程のKhang君がThe 11th Vietnam-Japan Scientific Exchange Meetingで下記の招待講演を行いました。

Nguyen Huynh Duy Khang, Yugo Ueda, Pham Nam Hai. (Invited) Colossal spin Hall effect in a conductive topological insulator Bi0.9Sb0.1 for ultra-low-power spin-orbit-torque switching

国際学会SPIE Spintronics XIで招待講演

Pham准教授はSan Diegoで開催中のSPIE Spintronics XI国際学会に招待講演を行いました。

[Invited] [10732-29] Conductive BiSb topological insulator with colossal spin Hall effect for ultra-low power spin-orbit-torque switching.

○ Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, Kenichiro Yao, Yugo Ueda.

Proceeding paperは

Proc. SPIE 10732, 107320U (2018); doi: 10.1117/12.2316612

第62回応用物理学会春季学術講演会で発表

第62回応用物理学会春季学術講演会で下記の3件の発表を行います。

[11a-A13-6] 雨宮智宏, 顧之琛, 石川篤, 庄司雄哉, ファム ナム ハイ, 田中雅明, 水本哲弥, 田中拓男, 荒井滋久.” フェムト秒レーザーによるYIG光磁気造形を利用した磁気光学回路”

[招待講演][14a-D2-2] Duc Anh Le, Nam Hai Pham, Yuichi Kasahara, Yoshihiro Iwasa, Masaaki Tanaka. [講演奨励賞記念講演] “Electrical modulation of ferromagnetism via controlling the wavefunction in n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As quantum wells”

[14a-D2-10]  Thanh Tu Nguyen, Pham Nam Hai, Le Duc Anh, Masaaki Tanaka. “Magneto-optical and magneto-transport characteristics of heavily Fe-doped ferromagnetic semiconductor (Ga,Fe)Sb”

The 19th Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors学会で招待講演

Pham准教授がThe 19th Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors学会で下記の招待講演を行います。

ファム ナム ハイ(東工大)  鉄系強磁性半導体とそのヘテロ構造

2014年度第75回秋季応用物理学会講演会で招待講演

Pham准教授が北海道大学で開催される第75回応用物理学会秋季学術講演会で下記の招待講演を行います。

シンポジウム 「スピントロニクス材料・デバイスの最前線」

[18p-S2-5] (Invited) Room temperature visible-light electroluminescence in Mn doped semiconductors (30min.)