人工知能に向けた不揮発性メモリ・スピントロニクスデバイスと材料
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Pham准教授が東京大学物性研究所で開催された「スピン軌道強結合伝導系におけるサイエンスの新展開」のISSPワークショップで下記の招待講演を行いました。
Pham Nam Hai, Nguyen Huynh Duy Khang, 八尾 健一郎, 白倉 孝典 “超高性能純スピン注入源としての BiSb トポロジカル絶縁体”
強磁性半導体(Ga,Fe)Sbにおいて、世界最高の…
トポロジカル半金属YPtBiにおけるPtとBi組成…
トポロジカル絶縁体BiSbの(012)高配向および…
Pham教授、博士課程のHu Yifan君、Liu…