Pham Nam Hai Research Group

米国UCSBからの海外交流留学生のChristinaさんが無事に研究を終了することおよびB4の白倉君と長南君の大学院合格をお祝いしました。

Pham准教授がThe 29th International Conference on Defects in Semiconductors(ICDS-29)の国際学会で下記の招待講演を行いました。

[ThA3-I2 (Invited)] Fe-doped ferromagnetic semiconductors for high-performance semiconductor spin devices
Pham Nam Hai, Tomohiro Ostuka, Munehiko Yoshida, Nguyen Thanh Tu, Le Duc Anh, and Masaaki Tanaka

米国のUCSB大学物理学科およびマテリアルリサーチラボからChristina Garciaさんが海外交流学生として研究室に滞在して、研究を開始しました。

9th International School and Conference on Spintronics and Quantum Information Technology (Spintech IX)の国際学会にD1のKhang君、共同研究者のAnh氏とNguyen氏が下記の発表を行いました。

[A 65] MnGa thin films with perpendicular magnetic anisotropy grown on BiSb topological insulator.

Nguyen Huynh Duy Khang, Yugo Ueda, Pham Nam Hai

 [A 15] Tuning of  Magnetoconductance by electrical control of band alignment in n+(In,Fe)As/p+InAs Esaki diode.

Le Duc Anh, Pham Nam Hai, Masaaki Tanaka

 [B 76] High-temperature ferromagnetism in n-type and p-type Fe-doped ferromagnetic semiconductors.

Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh, Masaaki Tanaka

M1 の山根 慶大君、B4の長南光貴君、B4の白倉孝典 が新しいメンバーとして加わりました。皆さんの活躍を期待しています。

M2の植田君、大塚君、吉田君とB4の八尾君と西嶋君が無事に卒業しました。

おめでとうございます！

皆さんの活躍を期待しています。　　           皆さん一年間ご苦労様でした。

東京工業大学の『顔』東工大の研究者たち」にPham准教授のインタビューが掲載されました。

＜日本語版＞
半導体のパラダイムシフトを起こす「スピントロニクス」に賭ける

＜English＞
Boosting functionality of semiconductors with spintronics

第６４回応用物理学会春季学術講演会で、D2のHiep君、D1のKhang君、M2の大塚君、B4の八尾君、共同研究者のNguyen氏が下記の発表を行います。

[14p-P10-12] Electrical properties of Bi1-xSbx spin Hall thin films grown on GaAs(111)A substrates
〇八尾 健一郎、植田 裕吾、ゲィン フン ユイ カン、ファム ナム ハイ

[14p-P10-84] Spin valve effect in Si-based spin valve devices with a nano-scale Si channel
〇Duong Dinhhiep、Tanaka Masaaki、Pham Namhai

[14p-P10-87] Growth and characterization of MnGa thin films on BiSb topological insulator
〇Khang Nguyen HuynhDuy、Hai Pham Nam

[15a-501-1] Bias and temperature dependence of giant magnetoresistance in (In,Fe)As/(Ga,Fe)Sb spin diode
〇大塚 友絢、荒川 雄斗、西嶋 健人、田中 雅明、ファム ナムハイ

[15a-501-2] High-temperature ferromagnetism in a new n-type Fe-doped ferromagnetic semiconductor (In,Fe)Sb
〇Nguyen Tu Thanh、Pham Nam Hai、Le Duc Anh、Tanaka Masaaki

一方、米国物理学会(APS)にて、共同研究者のAnh氏が下記の発表を行います。

E42.00008: Observation of large spin splitting in the conduction band of n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As
Le Duc Anh , Pham Nam Hai , Masaaki Tanaka

Pham准教授は鉄系強磁性半導体の提言、材料開発、物性解明およびデバイス実証に関する業績が評価され、丸文研究奨励賞を受賞しました。

応用物性の代表的な学術誌Applied Physics Lettersの発表によると、室温強磁性半導体(Ga,Fe)Sbを報告した下記の論文が2016年度のニュース発表付きのmost read articlesにランクインしました。

High-temperature ferromagnetism in heavily Fe-doped ferromagnetic semiconductor (Ga,Fe)Sb
Nguyen Thanh Tu, Pham Nam Hai, Le Duc Anh, Masaaki Tanaka

ちなみに、磁性分野には、2件のみがランクインしています。もう一件は熱アシスト磁気記録で10 Terabit/in²を報告した論文です。また、本論文は応用物性のすべての研究領域(半導体、磁性、光など。。）において日本からの唯一ランキングに入った論文です。