Pham Nam Hai Research Group

MnドープしたGaAsにおける可視光電界発光に関する論文がApplied Physics Lettersに掲載されました。今回はMn原子を電気的に励起する方法を提案して、GaAs中のMn原子のd-d遷移による発光を実証した研究成果です。

P. N. Hai, D. Maruo, M. Tanaka, “Visible-light electroluminescence in Mn-doped GaAs light-emitting diodes”, Appl. Phys. Lett. 104, 122409/1-5 (2014).

(In,Fe)As強磁性半導体における歪み効果に関する論文がApplied Physics Lettersに掲載されました。Zenerモデルを使って、キュリー温度の歪みと量子サイズ効果依存性をよく説明できました。

D. Sasaki, L. D. Anh, P. N. Hai, M. Tanaka, “Interplay between strain, quantum confinement, and ferromagnetism in strained ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As thin films”, Appl. Phys. Lett. 104, 142406/1-5 (2014).