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論文掲載：BiSb/酸化物中間層/CoFeB/MgOにおける垂直磁気異方性とSOT磁化反転の実現

BiSb/酸化物中間層/CoFeB/MgOの構造において、垂直磁気異方性と高効率のSOT磁化反転を実現した論文がIEEE Transactions on Magneticsに掲載されました。本論文は日本サムスンとの共同研究の成果です。

Ho Hoang Huy, Zhang Ruixian, Takanori Shirokura, Shigeki Takahashi, Yoshiyuki Hirayama, Pham Nam Hai, “Integration of BiSb Topological Insulator and CoFeB/MgO With Perpendicular Magnetic Anisotropy Using an Oxide Interfacial Layer for Ultralow Power SOT-MRAM Cache Memory”, IEEE Trans. Magn. 59, 3400905/1-5 (2023).

絶縁体の中間層を用いることで、(1) Sbの拡散防止、(2)磁性層へのシャント電流の防止などのメリットがあります。本研究では、CoFeB/MgOに対して、1 nm CrOxが有効な絶縁体の中間層を見だしました。

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