BiSbトポロジカル絶縁体の巨大スピンホール効果を生かして、ナノ秒台の超高速超低消費電力磁化反転を実証した研究成果がApplied Physics Letters誌のEditor’s pickとして掲載されました。なお、本成果は東工大-NHK放送技術研究所との共同研究によるものです。

Nguyen Huynh Duy Khang, Takanori Shirokura, Tuo Fan, Mao Takahashi, Naoki Nakatani, Daisuke Kato, Yasuyoshi Miyamoto, and Pham Nam Hai, “Nanosecond ultralow power spin orbit torque magnetization switching driven by BiSb topological insulator”,  Appl. Phys. Lett. 120, 152401 (2022)

図（a）超高速磁化反転を実証するための膜構造。（b）作製した素子の写真。（c）-（f） パルス幅 1～4ナノ秒のパルス電流を掃引した時の磁化反転。（g） 3ナノ秒の正負のパルス電流（1.3×10⁷ A/cm²）をBiSbに連続的に印加した時の磁化反転。（h） 1ナノ秒から1ミリ秒まで、様々なパルス電流を印加した時の磁化反転に必要な閾値電流密度。

プレスリリース：トポロジカル絶縁体による磁性体の超高速磁化反転に成功～超高速スピン軌道トルク磁気抵抗メモリの実用化へ加速～