人工知能に向けた不揮発性メモリ・スピントロニクスデバイスと材料
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研究室へ新M1の遠藤君、トラン君、 Huy君(9月入学)、新B4の長田君、南波君が配属しました。皆さんの活躍を期待します。
強磁性半導体(Ga,Fe)Sbにおいて、世界最高の…
トポロジカル半金属YPtBiにおけるPtとBi組成…
トポロジカル絶縁体BiSbの(012)高配向および…
Pham教授、博士課程のHu Yifan君、Liu…