Home » 行事

Category Archives: 行事

R5年度の卒業式と送別会

3月26日に、冷たい雨の中、R5年度の卒業式と送別会が行われました。B4の江尻君と石田君、M2の長田君、高林君、南波君、山本君が無事に卒用しました。また、江尻君と石田君が電気電子系学士優秀学生賞の表彰を受け取りました。おめでとうございます!

修士の皆さん

電気電子系学士優秀学生賞を受賞したB4の江尻君

みんなで飲もう!

トポロジカル量子ビットに関するセミナーのご案内(11月24日(金)の13H30から)

Microsoft社や欧米の研究機関で活発に開発を進めているノイズ耐性があるトポロジカル量子ビットに関するセミナーをご案内します。

時間:11月24日(金)の13H30~

場所:南3号館第1会議室(S3-201号室)

講師:Dr. Tobias Schmitt (Forschungszentrum Jülich)

Title:
Versatility of selective area growth and stencil lithography for topological insulator-superconductor hybrid devices

Abstract:
As a potential platform to realize elusive topological superconductivity, hybrid devices of topological insulators (TIs) and conventional s-wave superconductors (S) form an attractive field of research. However, the fabrication of pristine hybrid devices with transparent S-TI interfaces is often hampered by degradation at ambient conditions. As a possible solution to this challenge, a novel technique combining selective area growth and stencil lithography to fabricate these devices under ultra-high vacuum (UHV) conditions has recently been reported. In my talk, I will showcase the versatility of this UHV fabrication technique for the implementation of several S-TI hybrid devices, ranging from Josephson junctions to superconducting hybrid qubits, and discuss their characterization.

新メンバー

早期卒業のB3の石田 乾君とB2D (Bachelor-to-Doctor)の B2 藤江 王裕君が研究室に参加しました。皆さんの活躍を期待します。

JST A-Step(育成型)の提案が採択された

私たちの提案である「3次元磁性細線メモリ」はJST-A Step(育成型)に採択されました

JST A-Step(育成型)とは、大学や公的研究機関などにおける新規性・優位性のある基礎研究成果(技術シーズ)について「学」と「産」のマッチングを行い、企業との共同研究につなげるまで磨き上げ、共同研究体制の構築を目指すものです。

3次元磁性細線メモリは、隣あう磁区間の磁壁を移動させることにより、磁区(ビット)を空間的に移動させ、一つのリーダーとライター素子で100~1000ビットを読み出しと書き込みができるため、現在普及している3次元NANDフラッシュメモリを凌駕する次世代メモリである。本提案はPham研究室が独自に提案し、特許出願した3次元磁性細線メモリの構造と要素技術、具体的には、(1)ALD/CVDによる縦穴に3次元磁性細線メモリの成膜技術、(2)磁性細線の凸凹など、特殊な形状を必要としない独自なビットシフトエラー抑制技術、(3)スピン軌道トルクによる超高速磁壁駆動技術からなる。

研究室の新しいメンバー:特別研究員2名

特別研究員2名(Brian York氏とCherngye Hwang氏)が研究室に参加しました。

両氏とも、元IBM/Hitachi Global Storage Technology/Western Digitalの元ベテラン社員です。

今後にPham研で開発した技術を様々な製品応用に向けて研究を支援していただきます。

『スピントロニクスハンドブック』の発刊

Pham准教授がスピンホール効果材料としてのトポロジカル絶縁体について担当執筆した『スピントロニクスハンドブック』が発刊されました。この本は日本全国のスピントロニクス研究者が最先端の研究についてまとめたハンドブックです。初心者の勉強に最適です。Pham研に1冊があるので、貸し出しができます。

https://www.nts-book.com/978-4-86043-842-5/

 

スピントロニクスハンドブック

発刊日:2023年5月23日

定 価:77,000円(税込)

頁 数:760ページ

2023年の新メンバー

新しいM1の齋藤君、B4の江尻君、B4の李君が研究室に参加しました。また、加々美君がM1に進学しました。皆さんのご活躍を期待します!

2022年度の卒業式

M2のHuy君(9月卒業)、遠藤君、Tran君、B4の加々美君と有川君が無事に卒業しました。おめでとうございます!

白倉さんの博士号修得

D3の白倉さんが3ヶ月短縮で博士号を修得し、特任助教に就任しました。おめでとうございます!今後のご活用を期待します。

応用物理学会学術講演会の講演奨励賞を受賞!

D3の白倉君は2022年秋季応用物理学会学術講演会の下記の発表に対して、講演奨励賞を受賞しました。講演奨励賞賞状の贈呈式および講演奨励賞受賞記念講演が2023年3月に開催される予定の春季応用物理学会学術講演会(上智大学)で行われる予定です。おめでとうございます!

[23a-B201-7] Efficient spin current source using a half-Heusler alloy topological semimetal with Back-End-of-Line compatibility
〇Takanori Shirokura、Tuo Fan、Nguyen Huynh Duy Khang、Pham Nam Hai