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Category Archives: 行事
新しいメンバー
新B4の伊藤君と大枝君、北海道大学から新M1の佐藤君、韓国の大学から新D1のHu YiFan君が研究室に加えました。また、江尻君、石田君と李君がM1に進学しました。皆さんの活躍を期待します。
トポロジカル量子ビットに関するセミナーのご案内(11月24日(金)の13H30から)
Microsoft社や欧米の研究機関で活発に開発を進めているノイズ耐性があるトポロジカル量子ビットに関するセミナーをご案内します。
時間:11月24日(金)の13H30~
場所:南3号館第1会議室(S3-201号室)
講師:Dr. Tobias Schmitt (Forschungszentrum Jülich)
Title:
Versatility of selective area growth and stencil lithography for topological insulator-superconductor hybrid devices
Abstract:
As a potential platform to realize elusive topological superconductivity, hybrid devices of topological insulators (TIs) and conventional s-wave superconductors (S) form an attractive field of research. However, the fabrication of pristine hybrid devices with transparent S-TI interfaces is often hampered by degradation at ambient conditions. As a possible solution to this challenge, a novel technique combining selective area growth and stencil lithography to fabricate these devices under ultra-high vacuum (UHV) conditions has recently been reported. In my talk, I will showcase the versatility of this UHV fabrication technique for the implementation of several S-TI hybrid devices, ranging from Josephson junctions to superconducting hybrid qubits, and discuss their characterization.
JST A-Step(育成型)の提案が採択された
私たちの提案である「3次元磁性細線メモリ」はJST-A Step(育成型)に採択されました。
JST A-Step(育成型)とは、大学や公的研究機関などにおける新規性・優位性のある基礎研究成果(技術シーズ)について「学」と「産」のマッチングを行い、企業との共同研究につなげるまで磨き上げ、共同研究体制の構築を目指すものです。
3次元磁性細線メモリは、隣あう磁区間の磁壁を移動させることにより、磁区(ビット)を空間的に移動させ、一つのリーダーとライター素子で100~1000ビットを読み出しと書き込みができるため、現在普及している3次元NANDフラッシュメモリを凌駕する次世代メモリである。本提案はPham研究室が独自に提案し、特許出願した3次元磁性細線メモリの構造と要素技術、具体的には、(1)ALD/CVDによる縦穴に3次元磁性細線メモリの成膜技術、(2)磁性細線の凸凹など、特殊な形状を必要としない独自なビットシフトエラー抑制技術、(3)スピン軌道トルクによる超高速磁壁駆動技術からなる。
『スピントロニクスハンドブック』の発刊
Pham准教授がスピンホール効果材料としてのトポロジカル絶縁体について担当執筆した『スピントロニクスハンドブック』が発刊されました。この本は日本全国のスピントロニクス研究者が最先端の研究についてまとめたハンドブックです。初心者の勉強に最適です。Pham研に1冊があるので、貸し出しができます。
https://www.nts-book.com/978-4-86043-842-5/