Home » 論文 » 論文掲載:世界最高値のスピンバルブ比12%を達成
MnGa垂直磁化膜と半導体GaAsからなる横型スピンバルブ構造において、世界最高の12%のスピンバルブ比と33mVのスピン依存出力電圧を達成した研究成果はJapanese Journal of Applied Physics誌に掲載されました。
Koki Chonan, Nguyen Huynh Duy Khang, Masaaki Tanaka, and Pham Nam Hai, “Large magnetoresistance and spin-dependent output voltage in a lateral MnGa/GaAs/MnGa spin-valve device”, Jpn. J. Appl. Phys. 59, SGGI08 (2020).

今回は分子線エピタキシャル結晶成長法を用いて、良好なMnGa/GaAs界面を作製ができました。さらに、電子ビームリソグラフィーとイオンミーリン法による600 nmという短いGaAsチャネルを持つナノスケールのMnGa/GaAs/MnGaの横型スピンバルブ構造を作製しました。その結果、世界最高の性能を達成できました。
最新ニュース
-
3月2 6日に、初春の桜が咲く晴天の中、R6年度の…
-
加々美尚君の修士論文「異常ホール効果を用いた微細磁…
-
D3のHo Hoang Huy君が電気電子系電気電…
-
トポロジカル絶縁体・磁性体界面のスピンホール効果向…
アーカイブ
クイックアクセス