私たちの提案である「トポロジカル表面状態を用いるスピン軌道トルク磁気メモリの創製」が科学技術振興機構(JST)の戦略的創造研究推進事業のCREST研究領域「トポロジカル材料科学に基づく革新的機能を有する材料・デバイスの創出」に採択されました。
http://www.jst.go.jp/kisoken/crest/application/2018/180918/180918crest.pdf
⇒ 研究の概要はこちらをご覧ください
最新ニュース
-
強磁性半導体(Ga,Fe)Sbにおいて、世界最高の…
-
トポロジカル半金属YPtBiにおけるPtとBi組成…
-
トポロジカル絶縁体BiSbの(012)高配向および…
-
Pham教授、博士課程のHu Yifan君、Liu…
アーカイブ
クイックアクセス