熊本県で開催された第84回秋季応用物理学会学術講演会でPham准教授、特任助教の白倉氏、博士課程のHuy君、修士課程の高林君と加々美君が下記の発表を行いました。

[20a-C501-8] Very high Curie temperature (530 K) in ferromagnetic semiconductor (Ga,Fe)Sb grown on vicinal GaAs(001) substrates
〇Kenta Takabayashi, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai

[20p-C501-8] Robust spin Hall effect in non-stoichiometric topological semimetal YPtBi thin films
〇Takanori Shirokura, Pham Nam Hai

[20p-C501-9] Annealing temperature effects on spin orbit torque in YPtBi topological semimetal and perpendicularly magnetized Co/Pt multilayers
〇Sho Kagami, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai

[20p-C501-10] Integration of BiSb topological insulator and CoFeB/MgO with perpendicular magnetic anisotropy using an oxide interfacial layer for ultralow power SOT-MRAM cache memory
〇HOANGHUY HO, R. Zhang, T. Shirokura, S. Takahashi, Y. Hirayama, Nam Hai Pham

[21p-C501-18] Suppression of magnetic domain wall shift error in 3D racetrack memory
〇Namhai Pham, Takanori Shirokura, Nguyen Huynh Duy Khang

私たちの提案である「３次元磁性細線メモリ」はJST-A Step(育成型）に採択されました。

JST A-Step(育成型）とは、大学や公的研究機関などにおける新規性・優位性のある基礎研究成果（技術シーズ）について「学」と「産」のマッチングを行い、企業との共同研究につなげるまで磨き上げ、共同研究体制の構築を目指すものです。

3次元磁性細線メモリは、隣あう磁区間の磁壁を移動させることにより、磁区（ビット）を空間的に移動させ、一つのリーダーとライター素子で１００～１０００ビットを読み出しと書き込みができるため、現在普及している３次元NANDフラッシュメモリを凌駕する次世代メモリである。本提案はPham研究室が独自に提案し、特許出願した３次元磁性細線メモリの構造と要素技術、具体的には、(1)ALD/CVDによる縦穴に3次元磁性細線メモリの成膜技術、(2)磁性細線の凸凹など、特殊な形状を必要としない独自なビットシフトエラー抑制技術、(3)スピン軌道トルクによる超高速磁壁駆動技術からなる。

修士課程の高林君と加々美君が名古屋国際会議場で開催されているSSDM2023国際学会で下記の発表を行いました。

[B-3-04 (Late News)] Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Fe)Sb with Very High Curie Temperature (530 K) Grown on Vicinal GaAs(001) Substrates
○Kenta Takabayashi, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai

[B-4-03] Annealing temperature effects on spin orbit torque in YPtBi topological semimetal and Co/Pt perpendicular magnetization multilayers
○Sho Kagami, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai

OBの佐々木 樹里行氏が2022年のSSDM国際学会で発表した研究発表について、SSDM Young Researcher Awardを受賞しました。2023年のSSDM国際学会で受賞式が行われます。おめでとうございます！なお、佐々木 樹里行氏は修士優秀論文賞および修士課程修了者の代表にも選べられました。