国際学会SSDM2022でOBの佐々木氏が下記の発表を行いました。本研究成果はサムスン日本研究所との共同研究の成果です。
[C-10-06] Julian Sasaki, Shigeki Takahashi, Yoshiyuki Hirayama, Pham Nam Hai. “Highly Efficient Spin Current Source Using BiSb Topological Insulator / NiO Bilayers”
人工知能に向けた不揮発性メモリ・スピントロニクスデバイスと材料