私たちの提案である「３次元磁性細線メモリ」はJST-A Step(育成型）に採択されました。

JST A-Step(育成型）とは、大学や公的研究機関などにおける新規性・優位性のある基礎研究成果（技術シーズ）について「学」と「産」のマッチングを行い、企業との共同研究につなげるまで磨き上げ、共同研究体制の構築を目指すものです。

3次元磁性細線メモリは、隣あう磁区間の磁壁を移動させることにより、磁区（ビット）を空間的に移動させ、一つのリーダーとライター素子で１００～１０００ビットを読み出しと書き込みができるため、現在普及している３次元NANDフラッシュメモリを凌駕する次世代メモリである。本提案はPham研究室が独自に提案し、特許出願した３次元磁性細線メモリの構造と要素技術、具体的には、(1)ALD/CVDによる縦穴に3次元磁性細線メモリの成膜技術、(2)磁性細線の凸凹など、特殊な形状を必要としない独自なビットシフトエラー抑制技術、(3)スピン軌道トルクによる超高速磁壁駆動技術からなる。