M2の郁君、高橋君とB4の藤原君が無事に卒業しました。おめでとうございます！

Pham准教授はアウトリーチ活動・国際貢献としてJSTのSakura Science Clubのセミナで下記の講演を行いました。

Sakura Science and Beyond March 6, 2021.
Inspiring Messages from Japan to the World
Dr. Pham Nam Hai

My Research in Japan -Toward ultralow power magnetic memories-

M2の長南君、市村君、曽智君とB4のKevin君が無事に卒業しました。

おめでとうございます！

Pham准教授が2019ドイツ・イノベーション・アワードを受賞しました。

本賞は、日独間の産学連携を促進することと優れた日本の若手研究者の支援を目的として、技術革新を重視するドイツ企業により創設されました。Pham准教授はトポロジカル絶縁体における巨大なスピンホール効果と超低消費電力磁気抵抗メモリへの応用の研究業績が評価され、Digitalization and Mobility部門を受賞しました。

ドイツ・イノベーション・アワード「ゴットフリード・ワグネル賞2019」の授賞式（© 2019 AHK Japan）

プレスリリス：ファム・ナム・ハイ准教授がドイツ・イノベーション・アワード「ゴットフリード・ワグネル賞2019」を受賞

Press release: Assoc. Prof. Pham Nam Hai awarded German Innovation Award “Gottfried Wagener Prize 2019”

米国University of Illinois Urbana-ChampaignからTOBAH MUSTAFA 君が海外交流学生として研究室に滞在して、研究を開始しました。

D4のHiep君、M2の八尾君、西嶋君、山根君とB4の中野君と高橋君が無事に卒業しました。

おめでとうございます！

皆さんの今後の活躍を期待します。

博士課程のHiep君の公聴会無事終了のお祝いおよび新年会を行いました。研究室メンバーの皆さんのさらなる躍進を期待します。

CREST領域「トポロジカル材料科学に基づく革新的機能を有する材料・デバイスの創出」のキックオフ会議にPham准教授とM2の八尾君が参加し、研究計画を発表しました。本研究では、産業連携を前提とし、トポロジカル材料を磁気メモリへ応用する研究開発を行います。そのために、分子線エピキタシー法に加えて、量産性に優れたスパッター法によるBiSbの製膜技術および垂直磁気異方性を示す磁性体との接合の作製技術を確立すること、超高速、超低消費電力のスピン軌道トルク磁化反転を実証すること、磁性細線におけるカイラル磁壁・スキルミオンの発生、駆動、検出の基盤技術を実証します。

私たちの提案である「トポロジカル表面状態を用いるスピン軌道トルク磁気メモリの創製」が科学技術振興機構(JST)の戦略的創造研究推進事業のCREST研究領域「トポロジカル材料科学に基づく革新的機能を有する材料・デバイスの創出」に採択されました。

http://www.jst.go.jp/kisoken/crest/application/2018/180918/180918crest.pdf

⇒　研究の概要はこちらをご覧ください

シンガポール南洋理工大学(NTU)からMaria Wei Yee LEEさんが海外交流学生として研究室に滞在して、研究を開始しました。