受賞

• 2023年度電気電子系学士優秀学生賞 江尻 航汰君
• 2023年度電気電子系学士優秀学生賞 石田 乾君
• 2023年 SSDM Young Researcher Award, 修士2年　佐々木 樹里行君
• 2022年度優秀修士論文賞　修士2年　Ho Hoang Huy君
• 2022年秋季第53回応用物理学会講演奨励賞　博士3年　白倉孝典君
• 2021年度優秀修士論文賞および修士課程修了者の代表 　修士2年　佐々木 樹里行君
• 2020年日本磁気学会 優秀研究賞 Pham准教授
• 2020年Asian Scientist 100 list Pham 准教授
• 2019年度（令和元年）手島精一記念研究賞（留学生研究賞）研究員 Khang氏
• 2019年ドイツ・イノベーション・アワード　Pham 准教授
• 2019年優秀修士論文賞　修士2年 西嶋 健人君
• 2018年スピントロニクス研究会第10回英語講演奨励賞　博士3年 Khang君
• 2017年第20回丸文研究奨励賞 Pham准教授

報道

• “Researchers from IST and Western Digital develop a promising new SOT-MRAM material”, MRAM-InFo, 2024/10/10
• “次世代スピントロニクスデバイス、～情報を処理する電子回路と情報を記録する媒体の融合。デバイス構造が統一されることで新たな地平が拓ける～”, Yano E plus 2024年2月号(No.191), ≪次世代市場トレンド≫, セクション4.3 国立大学法人　東京工業大学, p. 60-68, 矢野経済研究所㈱.
• “スピンホール　高温下で増大　次世代メモリー向け　東工大が新原理”,日刊工業新聞, 2024/1/25 朝刊29面
• “Tantalum silicide’s key role in high-temperature spintronic devices”, SpaceDaily 2024/1/10
• “Researchers use Berry phase monopole engineering for high-temperature and low-power spintronic devices”, Spintronics-InFo 2024/1/7
• “Berry Phase Monopoles Drive High-Temperature Spin-Orbit Torque Efficiency”, AZO Quantum 2024/1/8
• “Using Berry phase monopole engineering for high-temperature spintronic devices”, EurekAlert, Mydroll.com, Swilfttelecast.com, Phys.org
• “High-Temp Spintronic Devices Enhanced by Berry Phase Monopole”,  www.miragenews.com 2024/1/11
• “磁気抵抗メモリの高性能化に向けた新原理を発見”, EE Times Japan 2024/1/10
• “スピンホール効果を高温で増大させる新原理を発見-磁気抵抗メモリの高性能化を加速-“, 東工大ニュース2024/1/4
• “低電流密度で高速書き込み、東工大など、MRAM候補材”, 日刊工業新聞 2022年04月21日 朝刊21面
• “東工大、SOT-MRAMでSRAMと並ぶ約200psの超高速磁化反転の可能性を証明”, Tech+ 2022/4/14
• “トポロジカル絶縁体による磁性体の超高速磁化反転に成功～超高速スピン軌道トルク磁気抵抗メモリの実用化へ加速～”, 東工大ニュース2022/4/14
• “Researchers developed an ultra low power BiSb-based SOT MRAM device”, MRAM-Info, 2022/2/23
• “SOT方式の次世代不揮発性メモリ向け新材料を開発”, EE Times Japan 2022/2/17
• “次世代メモリ開発の加速に向けSOT方式に適した新材料を東工大などが開発”, Tech+ 2022/2/16
• “高スピン流生成効率と高熱耐久性を両立する新材料の開発に成功 ～超低消費電力な不揮発性メモリの実用化加速へ～“, 東工大ニュース2022/2/15
• “MRAM書き込み、電力100分の1、次世代型、5年後実用化狙う”, 日経産業新聞9面、2021/11/29
• “次世代不揮発性メモリSOT-MRAMの機能実証、東工大などの国際チームが成功”、科学新聞(週刊)６面、2021/11/19
• “東京工大ら、SOT-MRAM素子の原理動作実証に成功”, EE Times Japan 2021/11/05
• “東工大など、「スピン軌道トルク磁気抵抗メモリ」の読み書きの実証に成功”, Tech+ 2021/11/1
• “不揮発性メモリ　大容量化　待機電力を大幅源　東工大など”, 日刊工業新聞 2021/11/1 朝刊19面
• “トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合を集積した次世代不揮発性メモリー ＳＯＴ－ＭＲＡＭの実証に成功～超低消費電力ＳＯＴ－ＭＲＡＭの実用化へ加速～”, 東工大ニュース2021/11/05, JST東工大プレスリリース 2021/10/29
• “Understanding the mechanism of ferromagnetism in the semiconductor (Ga,Mn)As”, AIP Scilight 08 Jan. 2021.
• “すばらしい研究者の紹介 #4 －ファム ナム ハイ准教授－人工知能に向ける究極の記憶機能を開発したい”
• “「やりたい研究ができるんだ！」と実感した ̶̶ 東レ科学技術研究助成”, 東レ科学振興会創立 60 周年特別企画 ̶⑤, 日経サイエンス（2020年12月25日発売号）
• “プレスリリス：巨大な一方向性スピンホール磁気抵抗効果を実証-従来の3桁高い1.1%の巨大な抵抗変化を達成-“, 東工大プレスリリース 2019/12/24
• “ドイツ・イノベーション・アワード「ゴットフリード・ワグネル賞2019」をCREST「トポロジー」のPham Nam Hai 研究代表者が受賞！”, JST トピックス 2019/7/9
• “BiSbをSOT-MRAMに応用：トポロジカル絶縁体で高性能純スピン注入源開発”, EE Times Japan 2018/8/2
• “トポロジカル絶縁体で世界最高性能の純スピン注入源を開発。次世代スピン軌道トルク磁気抵抗メモリの実現に期待”, 東工大プレスリリース 2018/7/31
• “Switching by topological insulators”, Nature Materials News and Views 30 Jul. 2018
• “A change in sign brings a sign of change for spin-current devices” AIP Scilight 05 Mar. 2018
• “Ballistic transport in spin-valve Si channel demonstrates feasibility of nanoscale spin-MOSFETs” AIP Scilight 11 Dec. 2017
• “Combining a topological insulator with a perpendicular magnetized ferromagnetic thin film” AIP Scilight 09 Oct. 2017
• “東大と東工大、スピン自由度利用の半導体デバイスに向け成果” 日経XTECH 2016/12/21
• “Best of both worlds: Ferromagnetism + Semiconductor = Spintronics: New Opportunities for Improving Electronics”, AIP publishing news 09 May 2016