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Yearly Archives: 2021

令和2年度卒業式

2021年3月26日 11:23 PM

M2の郁君、高橋君とB4の藤原君が無事に卒業しました。おめでとうございます！

第68回春季応用物理学会学術講演会の発表

2021年3月18日 10:32 PM

第68回春季応用物理学会学術講演会(オンライン開催)に、B4の藤原君、M2の郁君、研究員のKhang氏が下記の発表を行いました。

[16p-Z19-23] Kou Fujiwara, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai, “Evaluation of Spin Hall effect in YPt alloy”

[17p-Z19-11] Nguyen Huynh Duy Khang, Pham Nam Hai, “New method for field-free detection of in-plane magnetization switching induced by spin-orbit torque”

[18a-P04-14] Jialiang YU, Dinh Hiep DUONG, Nam Hai PHAM, “Investigation of Tunneling Barriers for Si Spin-Valve Devices”

JSTのSakura Science Clubで講演

2021年3月11日 6:20 PM

Pham准教授はアウトリーチ活動・国際貢献としてJSTのSakura Science Clubのセミナで下記の講演を行いました。

Sakura Science and Beyond March 6, 2021.
Inspiring Messages from Japan to the World
Dr. Pham Nam Hai

My Research in Japan -Toward ultralow power magnetic memories-

論文掲載：ｎ型強磁性半導体(In,Fe)Asの光電子分光

2021年3月9日 12:16 PM

東京大学と他の国際機関との共同研究で、ｎ型強磁性半導体(In,Fe)Asの光電子分光に関する研究成果がPhysical Review B誌に掲載されました。

Masaki Kobayashi, Le Duc Anh, Jan Minár, Walayat Khan, Stephan Borek, Pham Nam Hai, Yoshihisa Harada, Thorsten Schmitt, Masaharu Oshima, Atsushi Fujimori, Masaaki Tanaka, Vladimir N. Strocov, “Minority-spin impurity band in n-type (In,Fe)As: A materials perspective for ferromagnetic semiconductors”, Phys. Rev. B 103, 115111 (2021).

本研究により、ｎ型強磁性半導体(In,Fe)Asのバンド構造を明らかにしました。特に電子が予測通りに伝導帯に滞在し、またバンドギャップ中にFeの不純物バンドも観測されました。