下記の論文がAppl. Phys. Lett.誌に出版されました。
P. N. Hai, M. Tanaka, “Memristive magnetic tunnel Junctions with MnAs nanoparticles”, Appl. Phys. Lett. 107, 122404/1-5 (2015).
今回の論文はMnAsナノ微粒子を含むトンネル磁気接合において、TMR効果とMemristance効果が同時に存在していることを示した。同じMTJ素子でMemristive効果とTMR効果を両方利用すれば、多ビットのメモリ素子に応用できると期待できる。
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