人工知能に向けたスピン半導体材料とデバイス
Home » 論文 » Invited Review Articleが掲載
BiSbトポロジカル絶縁体における巨大なスピンホール効果と逆スピンホール効果のデバイス応用に関するInvited Review Articleが掲載されました。
Pham Nam Hai, “Device applications of the giant direct and inverse spin Hall effect in BiSb topological insulator”, Proc. of SPIE 13586, 1358607 (2025).
論文がダウロード可能です。
Pham教授がThe 1st Viet Nam-J…
スピンホール効果の強さを示すスピンホール角の様々な…
BiSbトポロジカル絶縁体における巨大なスピンホー…
Pham教授は Ho Chi Minh City …
BiSbトポロジカル絶縁体における巨大なスピンホール効果と逆スピンホール効果のデバイス応用に関するInvited Review Articleが掲載されました。