Home » 論文 » 論文掲載：トポロジカル半金属YPtBiのSiOx/Si基板上への成膜とスピンホール特性評価
トポロジカル半金属YPtBiのSiOx/Si基板上への成膜とスピンホール特性評価に関する研究成果がApplied Physics Letters誌に掲載されました。
Takanori Shirokura, Nguyen Huynh Duy Khang, Pham Nam Hai, “High-efficient spin orbit torque generated by topological semimetal YPtBi deposited on oxidized Si substrates”, Appl. Phys. Lett. 124, 052402 (2024)
トポロジカル半金属YPtBiは高い熱耐久性と高いスピンホール角を両立できる材料としてSOT-MRAMのスピンホール層として有望である。今回の研究では、実用的な基板であるSiOx/Si基板上への成膜およびスピンホール特性評価を行った。その結果、YPtBiが(110)配向するとともに、スピンホール伝導率がYPtBi(111)よりも高いことを見出した。
最新ニュース
-
ファム教授はScience Tokyo Gap F…
-
強磁性半導体(Ga,Fe)Sbにおいて、世界最高の…
-
トポロジカル半金属YPtBiにおけるPtとBi組成…
-
トポロジカル絶縁体BiSbの(012)高配向および…
アーカイブ
クイックアクセス
