博士課程のHiep君の公聴会無事終了のお祝いおよび新年会を行いました。研究室メンバーの皆さんのさらなる躍進を期待します。

CREST領域「トポロジカル材料科学に基づく革新的機能を有する材料・デバイスの創出」のキックオフ会議にPham准教授とM2の八尾君が参加し、研究計画を発表しました。本研究では、産業連携を前提とし、トポロジカル材料を磁気メモリへ応用する研究開発を行います。そのために、分子線エピキタシー法に加えて、量産性に優れたスパッター法によるBiSbの製膜技術および垂直磁気異方性を示す磁性体との接合の作製技術を確立すること、超高速、超低消費電力のスピン軌道トルク磁化反転を実証すること、磁性細線におけるカイラル磁壁・スキルミオンの発生、駆動、検出の基盤技術を実証します。

私たちの提案である「トポロジカル表面状態を用いるスピン軌道トルク磁気メモリの創製」が科学技術振興機構(JST)の戦略的創造研究推進事業のCREST研究領域「トポロジカル材料科学に基づく革新的機能を有する材料・デバイスの創出」に採択されました。

http://www.jst.go.jp/kisoken/crest/application/2018/180918/180918crest.pdf

⇒　研究の概要はこちらをご覧ください

シンガポール南洋理工大学(NTU)からMaria Wei Yee LEEさんが海外交流学生として研究室に滞在して、研究を開始しました。

新B4の中野君、高橋君、新M1の市村君、曾智君、新研究生の脱凡君が研究室のメンバーとして加わりました。皆さんの活躍を期待します。

M2の荒川君、胡君、B4の白倉君、長南君、ＹＳＥＰ海外交流学生のHannah Naomiさんの卒業をお祝いしました。皆さん長い間ご苦労様でした。

D3のHiep君のナノＳｉバルブデバイスにおける逆スピンバルブ効果の観測に関する研究成果がJournal of Applied Physicsに掲載されました。

Duong Dinh Hiep, Masaaki Tanaka and Pham Nam Hai, “Inverse spin-valve effect in nanoscale Si-based spin-valve devices”, J. Appl. Phys. 122, 223904 (2017).

今回の論文はJAP学術誌のトップクラス論文としてFeatured Articleに選べられました。

さらに、米国物理協会(American Institute of Physics)のScience Highlightにも選べられ、解説記事が掲載されました。

ドイツからの海外交流学生Genath Hannah Naomi さんとベトナムからの海外訪問学生の Tran Ngoc Lanさんが研究室に配属しました。皆さんの活躍を期待します。

米国UCSBからの海外交流留学生のChristinaさんが無事に研究を終了することおよびB4の白倉君と長南君の大学院合格をお祝いしました。

米国のUCSB大学物理学科およびマテリアルリサーチラボからChristina Garciaさんが海外交流学生として研究室に滞在して、研究を開始しました。