熊本県で開催された第84回秋季応用物理学会学術講演会でPham准教授、特任助教の白倉氏、博士課程のHuy君、修士課程の高林君と加々美君が下記の発表を行いました。

[20a-C501-8] Very high Curie temperature (530 K) in ferromagnetic semiconductor (Ga,Fe)Sb grown on vicinal GaAs(001) substrates
〇Kenta Takabayashi, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai

[20p-C501-8] Robust spin Hall effect in non-stoichiometric topological semimetal YPtBi thin films
〇Takanori Shirokura, Pham Nam Hai

[20p-C501-9] Annealing temperature effects on spin orbit torque in YPtBi topological semimetal and perpendicularly magnetized Co/Pt multilayers
〇Sho Kagami, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai

[20p-C501-10] Integration of BiSb topological insulator and CoFeB/MgO with perpendicular magnetic anisotropy using an oxide interfacial layer for ultralow power SOT-MRAM cache memory
〇HOANGHUY HO, R. Zhang, T. Shirokura, S. Takahashi, Y. Hirayama, Nam Hai Pham

[21p-C501-18] Suppression of magnetic domain wall shift error in 3D racetrack memory
〇Namhai Pham, Takanori Shirokura, Nguyen Huynh Duy Khang

修士課程の高林君と加々美君が名古屋国際会議場で開催されているSSDM2023国際学会で下記の発表を行いました。

[B-3-04 (Late News)] Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Fe)Sb with Very High Curie Temperature (530 K) Grown on Vicinal GaAs(001) Substrates
○Kenta Takabayashi, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai

[B-4-03] Annealing temperature effects on spin orbit torque in YPtBi topological semimetal and Co/Pt perpendicular magnetization multilayers
○Sho Kagami, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai

仙台国際センターで開催中の国際学会Intermag2023で特任助教の白倉氏、D2の張君とD1のHuy君（サムスンとの共同研究)、共同研究者の宗田氏が下記の発表を行いました。

[AOB-08] Zhang Ruixian, Takanori Shirokura, Tuo Fan, Pham Nam Hai. “Fabrication and evaluation of fully sputtered topological insulator/perpendicularly magnetized CoFeB/MgO multilayers for SOT-MRAM application”

[AOC-02] Takanori Shirokura, Pham Nam Hai. “Generalized angle resolved second harmonic method for precise evaluation of spin orbit torque in strong perpendicular magnetic anisotropy system”

[OOB-02] Ho Hoang Huy, Zhang Ruixian, Takanori Shirokura, Shigeki Takahashi, Yoshiyuki Hirayama, Pham Nam Hai. “Integration of BiSb topological insulator and CoFeB/MgO with perpendicular magnetic anisotropy using an oxide interfacial layer for ultralow power spin-orbit torque magnetic memory”

[COC-03] Iriya Muneta, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. “Ferromagnetism modulation by ultralow current in a two-dimensional polycrystalline molybdenum disulfide atomic layered structure”

上智大学で開催された第70回応用物理学会春季学術講演会で特任助教の白倉さんは応用物理学会講演奨励賞の記念講演を行いました。

[16p-D704-7] [第53回講演奨励賞受賞記念講演] ハーフホイスラー型トポロジカル半金属を用いた配線工程耐性を有する超高効率純スピン流源の開発
〇白倉 孝典、脱 凡、グエン フン ユイ カン、ファム ナム ハイ

応用物理学会会長の平本 俊郎先生から賞状を受け取った写真

D1のHuy君が東京大学で開催されたVANJ Conference 2022で下記の発表を行いました。本研究は米国Western Digital社との共同研究の成果です。

H. H. Huy, J. Sasaki, N. H. D. Khang, P. N. Hai, Q. Le, B. York, C. Hwang, X. Liu, M. Gribelyuk, X. Xu, S. Le, M. Ho and H. Takano. “Giant inverse spin Hall effect in BiSb topological insulator for 4 Tbpsi magnetic recording technology”.

国際学会MMM2022でD3の白倉君、D1のHuy君、元研究員のKhang氏(現ホーチミン市教育大学)、共同研究者の高橋氏（NHK)が下記の発表を行いました。

[EOF-13] Takanori Shirokura, Fan Tuo, Nguyen Huynh Duy Khang, Pham Nam Hai. “Giant spin Hall effect in a half-Heusler alloy topological semimetal with high thermal stability”.

[IOA-07] Ho Hoang Huy, J. SASAKI, N. H. D. KHANG, Pham NAM HAI, Q. LE, B. YORK, X. LIU, M. GRIBELYUK, X. XU, S. LE, M. HO, H. TAKANO. “Giant inverse spin Hall effect in BiSb topological insulator for SOT reader”.

[COB-06] Nguyen Huynh Duy Khang, Takanori Shirokura, Fan Tuo, Mao Takahashi, Naoki Nakatani, Daisuke Kato, Yasuyoshi Miyamoto, Pham Nam Hai. “Ultralow power nanosecond spin orbit torque magnetization switching induced by BiSb”.

[IPA-05] Mao Takahashi, Naoki Nakatani, Daisuke Kato, Kei Ogura, Yoshinori Iguchi, Pham Nam Hai, Yasuyoshi Miyamoto. “Magneto-optical observation of magnetic domain formation and drive in magnetic nanowire memory with topological insulator BiSb”.

国際学会SSDM2022でOBの佐々木氏が下記の発表を行いました。本研究成果はサムスン日本研究所との共同研究の成果です。

[C-10-06] Julian Sasaki, Shigeki Takahashi, Yoshiyuki Hirayama, Pham Nam Hai. “Highly Efficient Spin Current Source Using BiSb Topological Insulator / NiO Bilayers”

Pham准教授はサムスン電子の華城事業所で開催された1st MRAM Material Symposiumで下記の招待講演を行いました。

“Topological insulator for ultralow power SOT devices “

東北大学で開催される2022年秋季応用物理学会学術講演会で、修士課程の長田君、南波君（サムスン日本研究所との共同研究）、Huy君（Western Digitalとの共同研究）と遠藤君、博士課程の張君と白倉君（キオクシア社との共同研究）、共同研究者の宗田氏が下記の発表を行いした。

[20a-B101-1] Giant inverse spin Hall effect in BiSb topological insulator-based SOT reader
〇(M2)HOANGHUY HO、SASAKI J.、KHANG N. H. D.、NAMHAI Pham、Q. LE、B. YORK、X. LIU、M. GRIBELYUK、X. XU、S. LE、M. HO、H. TAKANO

[20p-B101-9] Fabrication and evaluation of BiSb topological insulator / perpendicular magnetization CoFeB multilayer film for SOT-MRAM application
〇(D)Ruixian Zhang、Shirokura Takanori、Tuo Fan、Pham Nam Hai

[23a-B201-2] Effect of Bi doping on the magnetic properties of (In,Fe)Sb ferromagnetic semiconductor
〇(M2)Yota Endo、Masaaki Tanaka、Pham NamHai

[23a-B201-7] Efficient spin current source using a half-Heusler alloy topological semimetal with Back-End-of-Line compatibility
〇Takanori Shirokura、Tuo Fan、Nguyen Huynh Duy Khang、Pham Nam Hai

[23a-B201-9] BiSbトポロジカル絶縁体/NiO/Co接合におけるNiO障壁高さの評価
〇南波 章太、高橋 茂樹、平山 義幸、ファム ナムハイ

[23a-B201-11] Signatures of two-dimensional topological insulator phase in BiSb ultrathin films
〇Yuki Osada、Takanori Shirokura、Nam Hai Pham

[23p-B203-2] 強磁性を示す二次元多結晶層状物質MoS2における非対称線形磁気抵抗
〇宗田 伊理也、白倉 孝典、ファム ナムハイ、角嶋 邦之、筒井 一生、若林 整

Western Digital社の共同研究者のBrian York氏と修士課程のHuy君がTMRC2022国際学会で下記の発表を行いました。

PA1. B. York, P. Hai, Q. Le, C. Hwang, S. Okamura, M. Gribelyuk, X. Xu, K. Nguyen, H. Ho, J. Sasaki, X. Liu, S. Le, M. Ho, H. Takano. “High Spin Hall Angle doped Topological Insulators BiSbX using novel high resistive growth and migration barrier layers”.

PA2. H. H. Huy, J. Sasaki, N. H. D. Khang, S. Namba, P. N. Hai, Q. Le, B. York, C. Hwang, X. Liu, M. Gribelyuk, X. Xu, S. Le, R. Nagabhirava, M. Ho and H. Takano. “Large spin Hall angle in sputtered BiSb topological insulator on top of various ferromagnets with in-plane magnetization for SOT reader application”