博士課程のZhang君がイタリアのボローニャで開催されていたThe 22nd International Conference on Magnetism (ICM2024)で下記の発表を行いました。

“High spin Hall angle in heterostructures of BiSb topological insulator and perpendicularly magnetized CoFeB/MgO multilayers with metallic interfacial layers”.

本研究はウエスタンデジタルテクノロジーズ合同会社との共同研究の成果です。

東京都市大学で開催した第71回春季応用物理学会学術講演会において、特任助教の白倉氏、D3のZhang君と西山君、M2の山本君、B4の江尻君が下記の発表を行いました。

[22a-12K-4] High spin Hall performance in YPtBi topological semimetal and perpendicular-anisotropy CoFeB junctions
〇Reo Yamamoto, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai

[22a-12K-5] High spin Hall angle in BiSb topological insulator and perpendicularly magnetized CoFeB/MgO multilayers with metallic interfacial layers
〇Ruixian Zhang, Hoang Huy Ho, Takanori Shirokura, Nam Hai Pham, Quang Le, Brian R. York, Cherngye Hwang, Xiaoyong Liu, Xiaoyu Xu, Son Le, Michael Gribelyuk, Hisashi Takano, Maki Maeda, Fan Tuo, Yu Tao

[24a-71B-5] Observation of impurity band in (InFe)(SbBi) ferromagnetic semiconductor using infrared magnetic circular dichroism spectroscopy
〇Kota Ejiri, Yota Endo, Kenta Takabayasi, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai

[24p-P05-34] トポロジカル絶縁体BiSbのテラヘルツ分光特性
〇西山 黎、ファムナム ハイ、橋谷田俊、河野 行雄

[25p-71B-3] Giant spin Hall effect in sputtered topological semimetal YPtBi films grown at low temperature
〇Takanori Shirokura, Nam Hai Pham

M2の長田君がThe 27th Symposium on the Physics and Applications of Spin-related Phenomena in Semiconductors (PASPS-27)において、下記の発表を行いました。本発表はPeter Grünberg Institute (PGI-9), Forschungszentrum Jülichとの共同研究の成果です。

[P-34] Growth and evaluation of BiSb topological insulator ultrathin films on Si(111) substrates for superconductor/2D-TI topological quantum bits
Y. Osada, M. Vaßen-Carl, A. R. Jalil, P. Schüffelgen, P. N. Hai

Pham准教授がVANJ Conference 2023国際学会で下記の招待講演を行いました。

 [S1-3] (Invited) Topological materials for advanced spintronic devices

日本光学会年次学術講演会(Optics & Photonics Japan 2023)でD2の西山君が下記の発表を行いました。本研究は中央大学の河野研究室との共同研究の成果です。

[29aF9]トポロジカル絶縁体BiSbのテラヘルツ吸収特性
○西山 黎，ファム ナム ハイ，橋谷田 俊，河野 行雄

熊本県で開催された第84回秋季応用物理学会学術講演会でPham准教授、特任助教の白倉氏、博士課程のHuy君、修士課程の高林君と加々美君が下記の発表を行いました。

[20a-C501-8] Very high Curie temperature (530 K) in ferromagnetic semiconductor (Ga,Fe)Sb grown on vicinal GaAs(001) substrates
〇Kenta Takabayashi, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai

[20p-C501-8] Robust spin Hall effect in non-stoichiometric topological semimetal YPtBi thin films
〇Takanori Shirokura, Pham Nam Hai

[20p-C501-9] Annealing temperature effects on spin orbit torque in YPtBi topological semimetal and perpendicularly magnetized Co/Pt multilayers
〇Sho Kagami, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai

[20p-C501-10] Integration of BiSb topological insulator and CoFeB/MgO with perpendicular magnetic anisotropy using an oxide interfacial layer for ultralow power SOT-MRAM cache memory
〇HOANGHUY HO, R. Zhang, T. Shirokura, S. Takahashi, Y. Hirayama, Nam Hai Pham

[21p-C501-18] Suppression of magnetic domain wall shift error in 3D racetrack memory
〇Namhai Pham, Takanori Shirokura, Nguyen Huynh Duy Khang

修士課程の高林君と加々美君が名古屋国際会議場で開催されているSSDM2023国際学会で下記の発表を行いました。

[B-3-04 (Late News)] Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Fe)Sb with Very High Curie Temperature (530 K) Grown on Vicinal GaAs(001) Substrates
○Kenta Takabayashi, Masaaki Tanaka, Pham Nam Hai

[B-4-03] Annealing temperature effects on spin orbit torque in YPtBi topological semimetal and Co/Pt perpendicular magnetization multilayers
○Sho Kagami, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai

仙台国際センターで開催中の国際学会Intermag2023で特任助教の白倉氏、D2の張君とD1のHuy君（サムスンとの共同研究)、共同研究者の宗田氏が下記の発表を行いました。

[AOB-08] Zhang Ruixian, Takanori Shirokura, Tuo Fan, Pham Nam Hai. “Fabrication and evaluation of fully sputtered topological insulator/perpendicularly magnetized CoFeB/MgO multilayers for SOT-MRAM application”

[AOC-02] Takanori Shirokura, Pham Nam Hai. “Generalized angle resolved second harmonic method for precise evaluation of spin orbit torque in strong perpendicular magnetic anisotropy system”

[OOB-02] Ho Hoang Huy, Zhang Ruixian, Takanori Shirokura, Shigeki Takahashi, Yoshiyuki Hirayama, Pham Nam Hai. “Integration of BiSb topological insulator and CoFeB/MgO with perpendicular magnetic anisotropy using an oxide interfacial layer for ultralow power spin-orbit torque magnetic memory”

[COC-03] Iriya Muneta, Takanori Shirokura, Pham Nam Hai, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi. “Ferromagnetism modulation by ultralow current in a two-dimensional polycrystalline molybdenum disulfide atomic layered structure”

上智大学で開催された第70回応用物理学会春季学術講演会で特任助教の白倉さんは応用物理学会講演奨励賞の記念講演を行いました。

[16p-D704-7] [第53回講演奨励賞受賞記念講演] ハーフホイスラー型トポロジカル半金属を用いた配線工程耐性を有する超高効率純スピン流源の開発
〇白倉 孝典、脱 凡、グエン フン ユイ カン、ファム ナム ハイ

応用物理学会会長の平本 俊郎先生から賞状を受け取った写真

D1のHuy君が東京大学で開催されたVANJ Conference 2022で下記の発表を行いました。本研究は米国Western Digital社との共同研究の成果です。

H. H. Huy, J. Sasaki, N. H. D. Khang, P. N. Hai, Q. Le, B. York, C. Hwang, X. Liu, M. Gribelyuk, X. Xu, S. Le, M. Ho and H. Takano. “Giant inverse spin Hall effect in BiSb topological insulator for 4 Tbpsi magnetic recording technology”.