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論文掲載:次世代MRAMに向けたスピンホール材料の開発

修士2年の植田君の研究成果が学術誌Applied Physics Lettersに掲載されました。

Yugo Ueda, Nguyen Huynh Duy Khang, Kenichiro Yao, and Pham Nam Hai, “Epitaxial growth and characterization of Bi1-xSbx spin Hall thin films on GaAs(111)A substrates”, Appl. Phys. Lett. 110, 062401 (2017).

今回の研究は次世代Spin-orbit Torque MRAMに向けて105 Ohm-1Cm-1以上の高い電気伝導率と高いスピンホール角を両立できるスピンホール材料BiSbの単結晶製膜に成功した。今後に磁性体との接合を作製し、従来のMRAMよりも一桁少ない書き込み電流密度および二桁少ない書き込み電力の実現を目指す。

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